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参数资料
| 型号： | MCIMX31LCVKN5D |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 35/118页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MPU I.MX31L CONSMR 457MAPBGA |
| 标准包装： | 152 |
| 系列： | i.MX31 |
| 核心处理器： | ARM11 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 532MHz |
| 连通性： | 1 线，ATA，EBI/EMI，FIR，I²C，MMC/SD，PCMCIA，SIM，SPI，SSI，UART/USART，USB，USB OTG |
| 外围设备： | DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
| 程序存储器类型： | ROMless |
| RAM 容量： | 16K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.22 V ~ 3.3 V |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 457-LFBGA |
| 包装： | 托盘 - 晶粒 |
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Electrical Characteristics
MCIMX31/MCIMX31L Technical Data, Rev. 4.3
Freescale Semiconductor
23
4.3.3
Clock Amplifier Module (CAMP) Electrical Characteristics
This section outlines the Clock Amplifier Module (CAMP) specific electrical characteristics. Table 19
shows clock amplifier electrical characteristics.
Table 17. AC Electrical Characteristics of Fast1 General I/O 2
1 Fast/slow characteristic is selected per GPIO (where available) by “slew rate” control. See reference manual.
2 Use of GPIO in fast mode with the associated NVCC > 1.95 V can result in excessive overshoot and ringing.
ID
Parameter
Symbol
Test
Condition
Min
Typ
Max
Units
PA1
Output Transition Times (Max Drive)
tpr
25 pF
50 pF
0.68
1.34
1.33
2.6
2.07
4.06
ns
Output Transition Times (High Drive)
tpr
25 pF
50 pF
.91
1.79
1.77
3.47
2.74
5.41
ns
Output Transition Times (Std Drive)
tpr
25 pF
50 pF
1.36
2.68
2.64
5.19
4.12
8.11
ns
Table 18. AC Electrical Characteristics of DDR I/O
ID
Parameter
Symbol
Test
Condition
Min
Typ
Max
Units
PA1
Output Transition Times (DDR Drive)1
1 Use of DDR Drive can result in excessive overshoot and ringing.
tpr
25 pF
50 pF
0.51
0.97
0.82
1.58
1.28
2.46
ns
Output Transition Times (Max Drive)
tpr
25 pF
50 pF
0.67
1.29
1.08
2.1
1.69
3.27
ns
Output Transition Times (High Drive)
tpr
25 pF
50 pF
.99
1.93
1.61
3.13
2.51
4.89
ns
Output Transition Times (Std Drive)
tpr
25 pF
50 pF
1.96
3.82
3.19
6.24
4.99
9.73
ns
Table 19. Clock Amplifier Electrical Characteristics for CKIH Input
Parameter
Min
Typ
Max
Units
Input Frequency
15
—
75
MHz
VIL (for square wave input)
0
—
0.3
V
VIH (for square wave input)
(VDD 1– 0.25)
1 VDD is the supply voltage of CAMP. See reference manual.
—3
V
Sinusoidal Input Amplitude
0.4 2
2 This value of the sinusoidal input will be measured through characterization.
—VDD
Vp-p
Duty Cycle
45
50
55
%
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MCIMX31LCVMN4C | 功能描述:处理器 - 专门应用 TORTOLA MX31 AUTO FULL RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX31LCVMN4CR2 | 功能描述:处理器 - 专门应用 TORTOLA MX31 AUTO FULL RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX31LCVMN4D | 功能描述:处理器 - 专门应用 2.0.1 AUTO LITE RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX31LCVMN4DR2 | 功能描述:处理器 - 专门应用 2.0.1 AUTO LITE RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
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