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参数资料
型号： MCIMX515CJM6CR2
厂商： Freescale Semiconductor
文件页数： 128/202页
文件大小： 0K
描述： IC MPU I.MX51 529MABGA
标准包装： 750
系列： i.MX51
核心处理器： ARM? Cortex?-A8
芯体尺寸： 32-位
速度： 600MHz
连通性： 1 线，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，MMC，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG
外围设备： DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
输入/输出数： 128
程序存储器类型： ROMless
RAM 容量： 128K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： 0.8 V ~ 1.15 V
振荡器型： 外部
工作温度： -20°C ~ 85°C
封装/外壳： 529-LFBGA
包装： 带卷 (TR)
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Electrical Characteristics
i.MX51 Applications Processors for Consumer and Industrial Products, Rev. 6
Freescale Semiconductor
31
Table 25 shows the I/O leakage currents that are based on the operating ranges in Table 13 and the
operating temperatures in Table 1.
.
4.4
Output Buffer Impedance Characteristics
This section defines the I/O Impedance parameters of the i.MX51 processor.
4.4.1
LVIO I/O Output Buffer Impedance
Table 26 shows the LVIO I/O output buffer impedance.
Table 25. I/O Leakage Current
Contact Group
Supply Rail
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
NANDF
NVCC_NANDF
V[I/O] = GND or Positive
Supply Rail, I/O = High Z
——
±1
μA
EIM
NVCC_EMI
V[I/O] = GND or Positive
Supply Rail, I/O = High Z
——
±1
μA
DRAM
NVCC_DRAM
V[I/O] = GND or Positive
Supply Rail, I/O = High Z
——
±2.5
μA
CSI1, CSI2, DISP1_Data[5:0]
NVCC_HSx
V[I/O] = GND or Positive
Supply Rail, I/O = High Z
——
±1.5
μA
I2C1
NVCC_I2C
V[I/O] = GND or Positive
Supply Rail, I/O = High Z
——
±1
μA
DI1_DAT[23:6],
DISPB_SER_x, DI_GPx
NVCC_IPU
V[I/O] = GND or Positive
Supply Rail, I/O = High Z
——
±2
μA
CKIL, PMIC_x
NVCC_SRTC_POW
V[I/O] = GND or Positive
Supply Rail, I/O = High Z
——
±1
μA
EXTAL, XTAL
NVCC_OSC
V[I/O] = GND or Positive
Supply Rail, I/O = High Z
—
±170
μA
ID, GPANAIO
NVCC_USBPHY
V[I/O] = GND or Positive
Supply Rail, I/O = High Z
—
±170
μA
DISP2_DAT[0:15]
NVCC_IPU,
NVCC_HS
V[I/O] = GND or Positive
Supply Rail, I/O = High Z
——
±2
μA
SD1, SD2
NVCC_PER15,
NVCC_PER17
V[I/O] = GND or Positive
Supply Rail, I/O = High Z
——
±10
μA
Peripherals except SD1, SD2
NVCC_PERx
V[I/O] = GND or Positive
Supply Rail, I/O = High Z
——
±2
μA
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PDF描述
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