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参数资料
| 型号： | MCP111-450E/TO |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC VOLT DET 4.38V LOW TO-92 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 类型： | 简单复位/加电复位 |
| 监视电压数目： | 1 |
| 输出： | 开路漏极或开路集电极 |
| 复位： | 低有效 |
| 电压 - 阀值： | 4.38V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 663 (CN2011-ZH PDF) |
MCP111/112
Note: Unless otherwise indicated, all limits are specified for V DD = 1V to 5.5V, R PU = 100 k Ω ( only MCP111 ;
see Figure 4-1 ), T A = -40°C to +125°C.
350
300
V DD decreasing from:
5V - 1.7V
MCP111-195
400
350
MCP111-195
250
200
V DD decreasing from:
V TRIP(max) + 0.25V to V TRIP(min) - 0.25V
300
250
V DD increasing from:
0V - 2.1V
200
150
100
50
V DD decreasing from:
5V - 0V
150
100
50
V DD increasing from:
0V - 2.8V
V DD increasing
from: 0V - 4.0V
V DD increasing
from: 0V - 5.5V
0
0
-40
-15
10
35
60
85
110
-40
-15
10
35
60
85
110
Temperature (°C)
Temperature (°C)
FIGURE 2-19:
( MCP111-195 ).
t RPD vs. Temperature
FIGURE 2-22:
( MCP111-195 ).
t RPU vs. Temperature
160
140
MCP112-300
V DD decreasing from:
V TRIP(max) + 0.25V to V TRIP(min) - 0.25V
140
120
V DD increasing from:
0V - 3.1V
MCP112-300
120
100
100
80
60
40
20
0
V DD decreasing from:
5V - 2.7V
V DD decreasing from:
5V - 0V
80
60
40
20
0
V DD increasing from:
0V - 3.3V
V DD increasing from:
0V - 4.0V
V DD increasing from:
0V - 5.5V
-40
-15
10
35
60
85
110
-40
-15
10 35 60
85
110
Temperature (°C)
Temperature (°C)
FIGURE 2-20:
( MCP112-300 ).
250
t RPD vs. Temperature
FIGURE 2-23:
( MCP112-300 ).
250
t RPU vs. Temperature
200
V DD decreasing from:
5V - 4.4V
MCP112-475
200
V DD increasing from:
0V - 4.9V
MCP112-475
150
150
V DD increasing from:
100
V DD decreasing from:
V TRIP(max) + 0.25V to V TRIP(min) - 0.25V
100
0V - 5.0V
V DD increasing from:
50
V DD decreasing from:
50
0V - 5.5V
0
5V - 0V
0
-40
-15
10 35 60
85
110
-40
-15
10
35
60
85
110
Temperature (°C)
Temperature (°C)
FIGURE 2-21:
t RPD vs. Temperature
FIGURE 2-24:
t RPU vs. Temperature
( MCP112-475 ).
DS21889D-page 8
( MCP112-475 ).
? 2005 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP112-315E/TO | IC VOLT DET 3.08V LOW TO92-3 |
| MCP112-300E/TO | IC VOLT DET 2.93V LOW TO-92 |
| RCM25DCSN | CONN EDGECARD 50POS DIP .156 SLD |
| MCP112-475E/TO | IC VOLT DET 4.63V LOW TO-92 |
| MAX6439UTDIZD7+T | IC BATTERY MON SNGL SOT23-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP111-450I/TO | 功能描述:监控电路 Open Drain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| MCP111-475E/MB | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:VOLT SUPERVISOR DETECT 4.63V 4 - Rail/Tube |
| MCP111-475E/TO | 功能描述:监控电路 Open Drain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| MCP111-475I/TO | 功能描述:监控电路 Open Drain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| MCP111T-195I | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:Micropower Voltage Detector |
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