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参数资料
| 型号： | MCP111T-475E/LB |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 5/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC VOLT DET 4.63V LOW SC70-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 简单复位/加电复位 |
| 监视电压数目： | 1 |
| 输出： | 开路漏极或开路集电极 |
| 复位： | 低有效 |
| 电压 - 阀值： | 4.63V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MCP111T-475E/LBDKR |
MCP111/112
2.0
Note:
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
Note: Unless otherwise indicated, all limits are specified for V DD = 1V to 5.5V, R PU = 100 k Ω (only MCP111 ;
see Figure 4-1 ), T A = -40°C to +125°C.
1.6
1.4
1.2
1
MCP111-195
5.5V
5.0V
4.0V
1.6
1.4
1.2
1
MCP111-195
+125°C
0.8
0.6
0.4
0.2
2.8V
2.1V
1.7V
1.0V
0.8
0.6
0.4
0.2
+85°C
+25°C
-40°C
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
Temperature (°C)
V DD (V)
FIGURE 2-1:
I DD vs. Temperature
FIGURE 2-4:
I DD vs. V DD ( MCP111-195 ).
( MCP111-195 ).
1.2
1
MCP112-300
5.5V
5.0V
1.6
1.4
MCP112-300
1.2
0.8
4.0V
1
0.6
0.4
0.2
2.1V
2.8V
1.7V
1.0V
0.8
0.6
0.4
0.2
+85°C
+125°C
+25°C
-40°C
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
Temperature (°C)
V DD (V)
FIGURE 2-2:
I DD vs. Temperature
FIGURE 2-5:
I DD vs. V DD ( MCP112-300 ).
( MCP112-300 ).
1
0.9
MCP112-475
5.5V
1.6
1.4
MCP112-475
0.8
0.7
0.6
0.5
5.0V
4.0V
2.8V
2.1V
1.2
1
0.8
+125°C
0.4
1.7V
0.6
+85°C
0.3
0.2
0.1
0
1.0V
0.4
0.2
0
+25°C
-40°C
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
Temperature (°C)
V DD (V)
FIGURE 2-3:
I DD vs. Temperature
FIGURE 2-6:
I DD vs. V DD ( MCP112-475 ).
( MCP112-475 ).
? 2005 Microchip Technology Inc.
DS21889D-page 5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1838238-3 | CONN MALE M12 4POS STR 5M CABLE |
| NR10050T150M | INDUCTOR WOUND 15UH 3.6A SMD |
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| MAX6439UTCJSD3+T | IC BATTERY MON SNGL SOT23-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP111T-475I/LB | 功能描述:监控电路 Open Drain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| MCP111T-475I/TT | 功能描述:监控电路 Open Drain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| MCP111T-475LB | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:Micropower Voltage Detector |
| MCP111T-475TT | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:Micropower Voltage Detector |
| MCP112 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:Micropower Voltage Detector |
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