参数资料
型号: MCP1405-E/MF
厂商: Microchip Technology
文件页数: 8/22页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR 4.5A DUAL 8DFN
标准包装: 60
配置: 低端
输入类型: 反相和非反相
延迟时间: 40ns
电流 - 峰: 4.5A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-DFN-S(6x5)
包装: 管件
产品目录页面: 670 (CN2011-ZH PDF)
-6
10
10
10
10
MCP1403/4/5
Typical Performance Curves (Continued)
Note: Unless otherwise indicated, T A = +25°C with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
1.00E-06
-7
1.00E-07
-8
1.00E-08
-9
1.00E-09
4
6
8
10
12
14
16
18
Supply Voltage (V)
Note:
The values on this graph represent the
loss seen by both drivers in a package
during one complete cycle. For a sin-
gle driver, divide the stated value by 2.
For a single transition of a single driver
divide the stated value by 4.
FIGURE 2-19:
Supply Voltage.
DS22022B-page 8
Crossover Energy vs.
? 2007 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料
PDF描述
FESB8BTHE3/81 DIODE 8A 100V 35NS SGL TO263AB
RM-3.312S/HP CONV DC/DC 0.25W 3.3VIN 12VOUT
LB2518T681K INDUCTOR WOUND 680UH 20MA 1007
TDC106K025NSF-F CAP TANT 10UF 25V 10% RADIAL
RM-3.309S/HP CONV DC/DC 0.25W 3.3VIN 09VOUT
相关代理商/技术参数
参数描述
MCP1405T-E/MF 功能描述:功率驱动器IC 4.5A Dual MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MCP1405T-E/P 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:4.5A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers
MCP1405T-E/SN 功能描述:功率驱动器IC 4.5A Dual MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MCP1405T-E/SO 功能描述:功率驱动器IC 4.5A Dual MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MCP1406 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:6A High-Speed Power MOSFET Drivers