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参数资料
| 型号： | MCP1407-E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 4/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 6A 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 40ns |
| 电流 - 峰： | 6A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 670 (CN2011-ZH PDF) |
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MCP1406/07
1.0
ELECTRICAL
CHARACTERISTICS
? Notice: Stresses above those listed under “Maximum
Ratings” may cause permanent damage to the device. This is
a stress rating only and functional operation of the device at
those or any other conditions above those indicated in the
Absolute Maximum Ratings ?
Supply Voltage ................................................................+20V
operational sections of this specification is not intended.
Exposure to maximum rating conditions for extended periods
may affect device reliability.
Input Voltage ...............................(V DD + 0.3V) to (GND – 5V)
Input Current (V IN >V DD )................................................50 mA
DC CHARACTERISTICS
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, T A = +25°C, with 4.5V ??? V DD ??? 18V.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Input
Logic ‘ 1 ’, High Input Voltage
Logic ‘ 0 ’, Low Input Voltage
V IH
V IL
2.4
—
1.8
1.3
—
0.8
V
V
Input Current
Input Voltage
I IN
V IN
–10
-5
—
—
10
V DD +0.3
μA
V
0V ??? V IN ??? V DD
Output
High Output Voltage
Low Output Voltage
Output Resistance, High
Output Resistance, Low
Peak Output Current
Continuous Output Current
Latch-Up Protection With-
V OH
V OL
R OH
R OL
I PK
I DC
I REV
V DD – 0.025
—
—
—
—
1.3
—
—
—
2.1
1.5
6
1.5
—
0.025
2.8
2.5
—
—
V
V
?
?
A
A
A
DC Test
DC Test
I OUT = 10 mA, V DD = 18V
I OUT = 10 mA, V DD = 18V
V DD ? 18V ( Note 2 )
Note 2 , Note 3
Duty cycle ???? 2%, t ??? 300 μsec.
stand Reverse Current
Switching Time ( Note 1 )
Rise Time
t R
—
20
30
ns
Figure 4-1 , Figure 4-2
C L = 2500 pF
Fall Time
t F
—
20
30
ns
Figure 4-1 , Figure 4-2
C L = 2500 pF
Delay Time
Delay Time
t D1
t D2
—
—
40
40
55
55
ns
ns
Figure 4-1 , Figure 4-2
Figure 4-1 , Figure 4-2
Power Supply
Supply Voltage
V DD
4.5
—
18.0
V
Power Supply Current
I S
I S
—
—
130
35
250
100
μA
μA
V IN = 3V
V IN = 0V
Note 1:
2:
3:
Switching times ensured by design.
Tested during characterization, not production tested.
Valid for AT and MF packages only. T A = +25°C
DS22019B-page 4
? 2006-2012 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GBM18DTMS-S189 | CONN EDGECARD 36POS R/A .156 SLD |
| CDBB3150-HF | DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO-214AA |
| GSM06DRMD | CONN EDGECARD 12POS .156 WW |
| T95S105M035CSSL | CAP TANT 1UF 35V 20% 1507 |
| GMM06DRMD | CONN EDGECARD 12POS .156 WW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP1407T-E/AT | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:6A High-Speed Power MOSFET Drivers |
| MCP1407T-E/MF | 功能描述:功率驱动器IC 6A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP1407T-E/PA | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:6A High-Speed Power MOSFET Drivers |
| MCP1407T-E/SN | 功能描述:功率驱动器IC 6A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP1415 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:Tiny 1.5A, High-Speed Power MOSFET Driver |
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