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参数资料
| 型号： | MCP14E11T-E/MF |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 7/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER 3A 8DFN-S |
| 标准包装： | 3,300 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 45ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-S（6x5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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MCP14E9/10/11
2.0
Note:
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
Note: Unless otherwise indicated, T A = +25°C with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
120
140
s 80
is 40
) 100
i
l l
100
)
(n
e
im 60
T
e
R
6,800 pF
4,700 pF
3,300 pF
1,800 pF
120
s
(n
e 80
m
T 60
a
F 40
6,800 pF
4,700 pF
3,300 pF
1,800 pF
20
0
1,000 pF
20
0
1,000 pF
4
6
8
10 12 14
16
18
4
6
8
10 12 14
16
18
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V)
FIGURE 2-1:
Voltage.
120
100
80
60
40
20
0
1000
FIGURE 2-2:
Load.
Rise Time vs. Supply
5V
12V
18V
10000
Capacitive Load (pF)
Rise Time vs. Capacitive
FIGURE 2-4:
Voltage.
140
120
100
80
60
40
20
0
1000
FIGURE 2-5:
Load.
Fall Time vs. Supply
5V
12V
18V
10000
Capacitive Load (pF)
Fall Time vs. Capacitive
40
V DD = 18V
65
V DD = 12V
35
30
C LOAD = 1,800 pF
t FALL
60
55
t D1
t RISE
25
50
20
15
10
45
40
35
t D2
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Temperature (°C)
Input Amplitude (V)
FIGURE 2-3:
Rise and Fall Times vs.
FIGURE 2-6:
Propagation Delay vs. Input
Temperature.
? 2011 Microchip Technology Inc.
Amplitude.
DS25005A-page 7
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