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参数资料
| 型号： | MCP14E7T-E/MF |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 15/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER 2A 8DFN-S |
| 标准包装： | 3,300 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 45ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-S（6x5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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MCP14E6/7/8
4.6.2
QUIESCENT POWER DISSIPATION
4.6.3
OPERATING POWER DISSIPATION
The power dissipation associated with the quiescent
current draw depends upon the state of the input pin.
The MCP14E6/7/8 devices have a quiescent current
draw with a Logic ' 1 ' on the input pin of 1 mA (typical)
and 300 μA (typical) with a Logic ' 0 '. The quiescent
The operating power dissipation occurs each time the
MOSFET driver output transitions, because for a very
short period of time, both MOSFETs in the output stage
are ON, simultaneously. This cross-conduction current
leads to a power dissipation described as:
power dissipation is:
EQUATION 4-4:
EQUATION 4-3:
P Q = ( I QH × D + I QL × ( 1 – D ) ) × V DD
Where:
I QH = Quiescent Current in the High State
D = Duty Cycle
I QL = Quiescent Current in the Low State
V DD = MOSFET Driver Supply Voltage
? 2011 Microchip Technology Inc.
Where:
CC =
f =
V DD =
P CC = CC × f × V DD
Cross-Conduction Constant (A * sec)
Switching Frequency
MOSFET Driver Supply Voltage
DS25006A-page 15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP14E8T-E/MF | IC MOSFET DRIVER 2A 8DFN-S |
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| LB16CKG01-C | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| LB16CKG01-A | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MCP14E8-E/MF | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Le |
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| MCP14E8-E/SN | 功能描述:功率驱动器IC 3A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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