- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17237 > MCP14E8-E/P (Microchip Technology)IC MOSFET DRIVER 2A 8PDIP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MCP14E8-E/P |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 4/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER 2A 8PDIP |
| 标准包装： | 60 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 45ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页当前第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页
MCP14E6/7/8
DC CHARACTERISTICS (2) (CONTINUED)
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, T A = +25°C, with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Power Supply
Supply Voltage
V DD
4.5
—
18.0
V
Supply Current
I DD
I DD
I DD
I DD
I DD
I DD
I DD
I DD
—
—
—
—
—
—
—
—
1000
600
800
800
600
300
500
500
1800
900
1600
1600
1000
450
800
800
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
V IN_A = 3V, V IN_B = 3V,
ENB_A = ENB_B = High
V IN_A = 0V, V IN_B = 0V,
ENB_A = ENB_B = High
V IN_A = 3V, V IN_B = 0V,
ENB_A = ENB_B = High
V IN_A = 0V, V IN_B = 3V,
ENB_A = ENB_B = High
V IN_A = 3V, V IN_B = 3V,
ENB_A = ENB_B = Low
V IN_A = 0V, V IN_B = 0V,
ENB_A = ENB_B = Low
V IN_A = 3V, V IN_B = 0V,
ENB_A = ENB_B = Low
V IN_A = 0V, V IN_B = 3V,
ENB_A = ENB_B = Low
Note 1:
2:
3:
Switching times are ensured by design.
Tested during characterization, not production tested.
Package power dissipation is dependent on the copper pad area of the PCB.
DC CHARACTERISTICS (OVER OPERATING TEMP. RANGE) (2)
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, operating temperature range with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Input
Logic ‘ 1 ’, High Input Voltage
Logic ‘ 0 ’, Low Input Voltage
V IH
V IL
2.4
—
—
—
—
0.8
V
V
Input Current
I IN
-10
—
+10
μA
0V ≤ V IN ≤ V DD
Output
High Output Voltage
Low Output Voltage
Output Resistance, High
Output Resistance, Low
V OH
V OL
R OH
R OL
V DD – 0.025
—
—
—
—
—
8
8
—
0.025
11
11
V
V
Ω
Ω
DC Test
DC Test
I OUT = 10 mA, V DD = 18V
I OUT = 10 mA, V DD = 18V
Switching Time
(1)
Rise Time
Fall Time
Propagation Delay Time
Propagation Delay Time
t R
t F
t D1
t D2
—
—
—
—
23
23
50
50
35
40
65
65
ns
ns
ns
ns
Figure 4-1 , Figure 4-2 ,
C L = 1000 pF
Figure 4-1 , Figure 4-2 ,
C L = 1000 pF
Figure 4-1 , Figure 4-2
Figure 4-1 , Figure 4-2
Note 1:
2:
Switching times are ensured by design.
Tested during characterization, not production tested.
DS25006A-page 4
? 2011 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LB2012T4R7M | INDUCTOR WOUND 4.7UH 190MA 0805 |
| ESM08DTKN | CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD |
| MCP14E11-E/P | IC MOSFET DRIVER 3A 8PDIP |
| MCP14E10-E/P | IC MOSFET DRIVER 3A 8PDIP |
| MCP14E8-E/SN | IC MOSFET DRIVER 2A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP14E8T | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:2.0A Dual High-Speed Power MOSFET Driver With Enable |
| MCP14E8T-E/MF | 功能描述:功率驱动器IC 3A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E8T-E/SN | 功能描述:功率驱动器IC 3A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E9 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:3.0A Dual High-Speed Power MOSFET Driver With Enable |
| MCP14E9-E/MF | 功能描述:功率驱动器IC 2A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。