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参数资料
| 型号： | MCP14E8T-E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 7/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER 2A 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 45ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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MCP14E6/7/8
2.0
Note:
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
Note: Unless otherwise indicated, T A = +25°C with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
160
180
140
6,800 pF
160
6,800 pF
) 120
e 60
s 120
im
a 60
s
(
n 100
e
i
m 80
T
s i
R
40
3,300 pF
2,200 pF
1,000 pF
140
)
(n
e 100
T 80
l l
F
40
3,300 pF
2,200 pF
1,000 pF
20
0
470 pF
20
0
470 pF
4
6
8
10 12 14
16
18
4
6
8
10 12 14
16
18
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V)
FIGURE 2-1:
Voltage.
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1000
FIGURE 2-2:
Load.
Rise Time vs. Supply
5V
12V
18V
10000
Capacitive Load (pF)
Rise Time vs. Capacitive
FIGURE 2-4:
Voltage.
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1000
FIGURE 2-5:
Load.
Fall Time vs. Supply
5V
12V
18V
10000
Capacitive Load (pF)
Fall Time vs. Capacitive
35
30
25
V DD = 18V
C LOAD = 1,000pF
60
55
t D1
V DD = 12V
50
20
t RISE
15
10
t FALL
45
40
t D2
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Temperature (°C)
Input Amplitude (V)
FIGURE 2-3:
Rise and Fall Times vs.
FIGURE 2-6:
Propagation Delay vs. Input
Temperature.
? 2011 Microchip Technology Inc.
Amplitude.
DS25006A-page 7
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PDF描述 |
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参数描述 |
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