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参数资料
| 型号： | MCP4013T-103E/CH |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 3/54页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DGTL POT 10K 1CH SOT23-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 接片： | 64 |
| 电阻（欧姆）： | 10k |
| 电路数： | 1 |
| 温度系数： | 标准值 150 ppm/°C |
| 存储器类型： | 易失 |
| 接口： | 2 线串行（芯片选择，增/减） |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 674 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MCP4013T-103E/CHDKR |
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2006 Microchip Technology Inc.
DS21978C-page 11
MCP4011/2/3/4
2.0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Note: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = 5V, VSS = 0V.
FIGURE 2-1:
Device Current (IDD) vs. U/D
Frequency (fU/D) and Ambient Temperature
(VDD = 2.7V and 5.5V).
FIGURE 2-2:
Device Current (ISHDN) and
VDD. (CS = VDD) vs. Ambient Temperature.
FIGURE 2-3:
CS Pull-up/Pull-down
Resistance (RCS) and Current (ICS) vs. CS Input
Voltage (VCS) (VDD = 5.5V).
FIGURE 2-4:
CS High Input Entry/Exit
Threshold vs. Ambient Temperature and VDD.
Note:
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0.20
0.40
0.60
0.80
1.00
fU/D (MHz)
Device
Current
(I
DD
)(A)
2.7V -40°C
2.7V 25°C
2.7V 85°C
2.7V 125°C
5.5V -40°C
5.5V 25°C
5.5V 85°C
5.5V 125°C
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
-40
25
85
125
Ambient Temperature (°C)
Device
Current
(I
DD
)(A)
VDD = 2.7V
VDD = 5.5V
0
50
100
150
200
250
987
654321
VCS (V)
R
CS
(kOhms)
-1000
-800
-600
-400
-200
0
200
400
600
800
1000
I CS
(A)
RCS
ICS
0
2
4
6
8
10
12
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
Ambient Temperature (°C)
CS
V
PP
Threshold
(V)
1.8V Entry
2.7V Entry
5.5V Entry
1.8V Exit
2.7V Exit
5.5V Exit
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参数描述 |
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