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参数资料
| 型号： | MCP4152T-103E/MS |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 49/59页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POT DGTL SNGL 10K RHEO 8MSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 接片： | 257 |
| 电阻（欧姆）： | 10k |
| 电路数： | 1 |
| 温度系数： | 标准值 150 ppm/°C |
| 存储器类型： | 易失 |
| 接口： | 4 线 SPI（芯片选择） |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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Micrel, Inc.
KSZ8051MNL/RNL
July 2010
53
M9999-070910-1.0
MDC/MDIO Timing
Figure 17. MDC/MDIO Timing
Timing Parameter
Description
Min
Typ
Max
Unit
tP
MDC period
400
ns
t1MD1
MDIO (PHY input) setup to rising edge of MDC
10
ns
tMD2
MDIO (PHY input) hold from rising edge of MDC
4
ns
tMD3
MDIO (PHY output) delay from rising edge of MDC
* [can vary with MDC clock frequency]
*
ns
Table 18. MDC/MDIO Timing Parameters
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-BN3-MY-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 24V 50W |
| VE-BN2-MY-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 50W |
| VE-BN2-MY-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 50W |
| VE-2NR-MY-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 50W |
| VI-25D-MW | CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP4152T-103I/MF | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:7/8-Bit Single/Dual SPI Digital POT with Volatile Memory |
| MCP4152T-103I/ML | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:7/8-Bit Single/Dual SPI Digital POT with Volatile Memory |
| MCP4152T-103I/MS | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:7/8-Bit Single/Dual SPI Digital POT with Volatile Memory |
| MCP4152T-103I/P | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:7/8-Bit Single/Dual SPI Digital POT with Volatile Memory |
| MCP4152T-103I/SL | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:7/8-Bit Single/Dual SPI Digital POT with Volatile Memory |
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