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参数资料
型号： MCP4241T-104E/ML
厂商： Microchip Technology
文件页数： 3/88页
文件大小： 0K
描述： IC DGTL POT 100K 2CH 16QFN
标准包装： 3,300
系列： WiperLock™
接片： 129
电阻（欧姆）： 100k
电路数： 2
温度系数： 标准值 150 ppm/°C
存储器类型： 非易失
接口： 4 线 SPI（芯片选择）
电源电压： 2.7 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装： 16-QFN-EP（4x4）
包装： 带卷 (TR)
其它名称： MCP4241T-104-E/ML
MCP4241T-104-E/MLTR
MCP4241T-104-E/MLTR-ND
MCP4241T-104E/MLTR
2008 Microchip Technology Inc.
DS22059B-page 11
MCP414X/416X/424X/426X
1.1
SPI Mode Timing Waveforms and Requirements
FIGURE 1-1:
SPI Timing Waveform (Mode = 11).
TABLE 1-1:
SPI REQUIREMENTS (MODE = 11)
#
Characteristic
Symbol
Min
Max Units
Conditions
SCK Input Frequency
FSCK
—10
MHz VDD = 2.7V to 5.5V
—1
MHz VDD = 1.8V to 2.7V
70
CS Active (VIL or VIHH) to SCK↑ input
TcsA2scH
60
—
ns
71
SCK input high time
TscH
45
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
500
—
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
72
SCK input low time
TscL
45
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
500
—
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
73
Setup time of SDI input to SCK
↑ edge
TDIV2scH
10
—
ns
74
Hold time of SDI input from SCK
↑ edge
TscH2DIL20
—
ns
77
CS Inactive (VIH) to SDO output hi-impedance
TcsH2DOZ
—
50
ns
Note 1
80
SDO data output valid after SCK
↓ edge
TscL2DOV
—
70
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
170
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
83
CS Inactive (VIH) after SCK↑ edge
TscH2csI
100
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
1ms
VDD = 1.8V to 2.7V
84
Hold time of CS Inactive (VIH) to
CS Active (VIL or VIHH)
TcsA2csI
50
—
ns
Note 1:
This specification by design.
CS
SCK
SDO
SDI
70
71
72
73
74
75, 76
77
78
79
80
SDI
MSb
LSb
BIT6 - - - - - -1
MSb IN
BIT6 - - - -1
LSb IN
83
84
VIH
VIL
VIHH
VIH
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