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参数资料
型号： MCP4261T-104E/SL
厂商： Microchip Technology
文件页数： 5/88页
文件大小： 0K
描述： IC DGTL POT 100K 2CH 14SOIC
标准包装： 2,600
系列： WiperLock™
接片： 257
电阻（欧姆）： 100k
电路数： 2
温度系数： 标准值 150 ppm/°C
存储器类型： 非易失
接口： 4 线 SPI（芯片选择）
电源电压： 2.7 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装： 14-SOIC
包装： 带卷 (TR)
其它名称： MCP4261T-104-E/SL
MCP4261T-104-E/SLTR
MCP4261T-104-E/SLTR-ND
MCP4261T-104E/SLTR
2008 Microchip Technology Inc.
DS22059B-page 13
MCP414X/416X/424X/426X
TABLE 1-3:
SPI REQUIREMENTS FOR SDI/SDO MULTIPLEXED (READ OPERATION ONLY) (2)
Characteristic
Symbol
Min
Max Units
Conditions
SCK Input Frequency
FSCK
—250
kHz
VDD= 2.7V to 5.5V
CS Active (VIL or VIHH) to SCK↑ input
TcsA2scH
60
—
ns
SCK input high time
TscH
1.8
—
us
SCK input low time
TscL
1.8
—
ns
Setup time of SDI input to SCK
↑ edge
TDIV2scH
40
—
ns
Hold time of SDI input from SCK
↑ edge
TscH2DIL40
—
ns
CS Inactive (VIH) to SDO output hi-impedance
TcsH2DOZ
—
50
ns
Note 1
SDO data output valid after SCK
↓ edge
TscL2DOV—
1.6
us
SDO data output valid after
CS Active (VIL or VIHH)
TssL2doV
—
50
ns
CS Inactive (VIH) after SCK↓ edge
TscH2csI
100
—
ns
Hold time of CS Inactive (VIH) to
CS Active (VII or VIHH)
TcsA2csI
50
—
ns
Note 1:
This specification by design
2:
This table is for the devices where the SPI’s SDI and SDO pins are multiplexed (SDI/SDO) and a Read
command is issued. This is NOT required for SDI/SDO operation with the Increment, Decrement, or Write
commands. This data rate can be increased by having external pull-up resistors to increase the rising
edges of each bit.
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PDF描述
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MCP4261T-502-E/ML 功能描述:数字电位计 IC Dual, 7bit, NV, SPI, POT RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 电阻:200 Ohms 温度系数:35 PPM / C 容差:25 % POT 数量:Dual 每 POT 分接头:256 弧刷存储器:Volatile 缓冲刷: 数字接口:Serial (3-Wire, SPI) 描述/功能:Dual Volatile Low Voltage Linear Taper Digital Potentiometer 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 电源电流:27 uA 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TQFN-16 封装:Reel
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