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参数资料
| 型号： | MCP4262T-104E/UN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 46/88页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC RHEOSTAT 100K 2CH 10MSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | WiperLock™ |
| 接片： | 257 |
| 电阻（欧姆）： | 100k |
| 电路数： | 2 |
| 温度系数： | 标准值 150 ppm/°C |
| 存储器类型： | 非易失 |
| 接口： | 4 线 SPI（芯片选择） |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 10-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MCP4262T-104-E/UN MCP4262T-104-E/UNTR MCP4262T-104-E/UNTR-ND MCP4262T-104E/UNTR |
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MCP414X/416X/424X/426X
DS22059B-page 50
2008 Microchip Technology Inc.
7.5.3
CONTINUOUS WRITES TO
VOLATILE MEMORY
Continuous writes are possible only when writing to the
volatile memory registers (address 00h, 01h, and 04h).
Figure 7-3 shows the sequence for three continuous
writes. The writes do not need to be to the same volatile
memory address.
7.5.4
CONTINUOUS WRITES TO
NON-VOLATILE MEMORY
Continuous writes to non-volatile memory are not
allowed, and attempts to do so will result in a command
error (CMDERR) condition.
FIGURE 7-3:
Continuous Write Sequence (Volatile Memory only).
A
D
3
A
D
2
A
D
1
A
D
0
00
D
9
D
8
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
D
2
D
1
D
0
111111 1* 111111111
A
D
3
A
D
2
A
D
1
A
D
0
00
D
9
D
8
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
D
2
D
1
D
0
111111 1* 111111111
A
D
3
A
D
2
A
D
1
A
D
0
00
D
9
D
8
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
D
2
D
1
D
0
111111 1* 111111111
COMMAND BYTE
DATA BYTE
SDI
SDO
Note 1:
If a Command Error (CMDERR) occurs at this bit location (*), then all following SDO bits will be
driven low until the CS pin is driven inactive (VIH).
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