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参数资料
| 型号： | MCP4661T-103E/ML |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 62/92页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DGTL POT 10K 256TAPS 16-QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 接片： | 257 |
| 电阻（欧姆）： | 10k |
| 电路数： | 2 |
| 温度系数： | 标准值 150 ppm/°C |
| 存储器类型： | 非易失 |
| 接口： | I²C（设备位址） |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN-EP（4x4） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 677 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MCP4661T-103E/MLDKR |
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2008 Microchip Technology Inc.
DS22107A-page 65
MCP454X/456X/464X/466X
7.8
Modify Write Protect or WiperLock
Technology (High Voltage)
Enable and Disable
These commands are special cases of the High Volt-
age Decrement Wiper and the High Voltage Incre-
ment Wiper commands to the non-volatile memory
locations 02h, 03h, and 0Fh. This command is used to
enable or disable either the software Write Protect,
wiper 0 WiperLock Technology, or wiper 1 WiperLock
Technology. Table 7-6 shows the memory addresses,
the High Voltage command and the result of those
commands on the non-volatile WP, WL0, 0r WL1 bits.
7.8.1
SINGLE MODIFY (ENABLE OR
DISABLE) WRITE PROTECT OR
WIPERLOCK TECHNOLOGY (HIGH
VOLTAGE)
Figure 7-9 (Disable) and Figure 7-10 (Enable) show
the formats for a single Modify Write Protect or Wiper-
Lock Technology command.
A Modify Write Protect or WiperLock Technology
Command will only start an EEPROM write cycle (twc)
after a properly formatted Command has been
received and the Stop condition occurs.
During an EEPROM write cycle, only serial commands
to Volatile memory (addresses 00h, 01h, 04h, and 05h)
are accepted. All other serial commands are ignored
until the EEPROM write cycle (twc) completes. This
allows the Host Controller to operate on the Volatile
Wiper registers and the TCON register, and to Read
the Status Register. The EEWA bit in the Status register
indicates the status of an EEPROM Write Cycle.
TABLE 7-6:
ADDRESS MAP TO MODIFY WRITE PROTECT AND WIPERLOCK TECHNOLOGY
FIGURE 7-9:
I2C Disable Command Sequence.
FIGURE 7-10:
I2C Enable Command Sequence.
Memory
Address
Command’s and Result
High Voltage Decrement Wiper
High Voltage Increment Wiper
00h
Wiper 0 register is incremented
01h
Wiper 1 register is decremented
Wiper 1 register is incremented
02h
WL0 is enabled
WL0 is disabled
03h
WL1 is enabled
WL1 is disabled
04h (1)
TCON register not changed
05h - 0Eh (1)
Reserved
0Fh
WP is enabled
WP is disabled
Note 1:
Reserved addresses: Increment or Decrement commands are invalid for these addresses.
Control Byte
Disable Command
1
01
0
SA2 A1 A0 0
0
AD AD AD AD
A1 X
X A
P
1
2
3
Fixed
Address
Variable
Address
Device
Memory
Address
Command (Increment)
Write bit
0
Control Byte
Enable Command
1
01
0
SA2 A1 A0 0
1
AD AD AD AD
A0 X
X A P
0
1
2
3
Fixed
Address
Variable
Address
Device
Memory
Address
Command (Decrement)
Write bit
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PDF描述 |
|---|---|
| VI-B6N-MY-S | CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 50W |
| VE-BT2-MX-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 75W |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP4661T-104E/ML | 功能描述:数字电位计 IC Sngl 8B NV I2C POT RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 电阻:200 Ohms 温度系数:35 PPM / C 容差:25 % POT 数量:Dual 每 POT 分接头:256 弧刷存储器:Volatile 缓冲刷: 数字接口:Serial (3-Wire, SPI) 描述/功能:Dual Volatile Low Voltage Linear Taper Digital Potentiometer 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 电源电流:27 uA 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TQFN-16 封装:Reel |
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| MCP4661T-502E/ML | 功能描述:数字电位计 IC Sngl 8B NV I2C POT RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 电阻:200 Ohms 温度系数:35 PPM / C 容差:25 % POT 数量:Dual 每 POT 分接头:256 弧刷存储器:Volatile 缓冲刷: 数字接口:Serial (3-Wire, SPI) 描述/功能:Dual Volatile Low Voltage Linear Taper Digital Potentiometer 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 电源电流:27 uA 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TQFN-16 封装:Reel |
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