- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录9044 > MCP4706A0T-E/MAY (Microchip Technology)IC DAC 8BIT NV EEP I2C 6DFN PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MCP4706A0T-E/MAY |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 23/86页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DAC 8BIT NV EEP I2C 6DFN |
| 标准包装： | 1 |
| 设置时间： | 6µs |
| 位数： | 8 |
| 数据接口： | EEPROM，I²C，串行 |
| 转换器数目： | 1 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 功率耗散（最大）： | 1.1W |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 输出数目和类型： | 1 电压，单极 |
| 采样率（每秒）： | * |
| 其它名称： | MCP4706A0T-E/MAYDKR |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页当前第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页
2011-2012 Microchip Technology Inc.
DS22272C-page 3
MCP4706/4716/4726
1.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
Voltage on VDD with respect to VSS .......................................................................................................... -0.6V to +6.5V
Voltage on all pins with respect to VSS ..............................................................................................-0.3V to VDD + 0.3V
Input clamp current, IIK (VI < 0, VI > VDD) ............................................................................................................±20 mA
Output clamp current, IOK (VO < 0 or VO > VDD) ..................................................................................................±20 mA
Maximum input current source/sunk by SDA, SCL pins .......................................................................................... 2 mA
Maximum output current sunk by SDA Output pin ................................................................................................. 25 mA
Maximum current out of VSS pin .............................................................................................................................50 mA
Maximum current into VDD pin ................................................................................................................................50 mA
Maximum current sourced by the VOUT pin ............................................................................................................40 mA
Maximum current sunk by the VOUT pin..................................................................................................................40 mA
Maximum current sunk by the VREF pin ...................................................................................................................40 A
Package power dissipation (TA = +50°C, TJ = +150°C)
SOT-23-6...................................................................................................................................................452 mW
DFN-6...................................................................................................................................................... 1098 mW
Storage temperature ............................................................................................................................... -65°C to +150°C
Ambient temperature with power applied ............................................................................................... -55°C to +125°C
ESD protection on all pins............................................................................................................................
≥ 6 kV (HBM)
......................................................................................................................................................................
≥ 400V (MM)
Maximum Junction Temperature (TJ) ................................................................................................................... +150°C
Notice: Stresses above those listed under “Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This
is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those indicated in
the operational listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for extended peri-
ods may affect device reliability.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-BT4-MY-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W |
| VE-22R-MW-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 100W |
| M83723/74W22327 | CONN RCPT 32POS JAM NUT W/PINS |
| MK5811CMILFT | IC CLK GENERATOR LOW EMI 8SOIC |
| VE-22P-MW-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 100W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP4706A1T-E/CH | 功能描述:数模转换器- DAC Sngl 8B NV DAC w/Ext Vref & I2C interface RoHS:否 制造商:Texas Instruments 转换器数量:1 DAC 输出端数量:1 转换速率:2 MSPs 分辨率:16 bit 接口类型:QSPI, SPI, Serial (3-Wire, Microwire) 稳定时间:1 us 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 封装:Tube |
| MCP4706A1T-E/MAY | 功能描述:数模转换器- DAC Sngl 8B NV DAC w/Ext Vref & I2C interface RoHS:否 制造商:Texas Instruments 转换器数量:1 DAC 输出端数量:1 转换速率:2 MSPs 分辨率:16 bit 接口类型:QSPI, SPI, Serial (3-Wire, Microwire) 稳定时间:1 us 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 封装:Tube |
| MCP4706A2T-E/CH | 功能描述:数模转换器- DAC Sngl 8B NV DAC w/Ext Vref & I2C interface RoHS:否 制造商:Texas Instruments 转换器数量:1 DAC 输出端数量:1 转换速率:2 MSPs 分辨率:16 bit 接口类型:QSPI, SPI, Serial (3-Wire, Microwire) 稳定时间:1 us 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 封装:Tube |
| MCP4706A2T-E/MAY | 功能描述:数模转换器- DAC Sngl 8B NV DAC w/Ext Vref & I2C interface RoHS:否 制造商:Texas Instruments 转换器数量:1 DAC 输出端数量:1 转换速率:2 MSPs 分辨率:16 bit 接口类型:QSPI, SPI, Serial (3-Wire, Microwire) 稳定时间:1 us 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 封装:Tube |
| MCP4706A3T-E/CH | 功能描述:数模转换器- DAC Sngl 8B NV DAC w/Ext Vref & I2C interface RoHS:否 制造商:Texas Instruments 转换器数量:1 DAC 输出端数量:1 转换速率:2 MSPs 分辨率:16 bit 接口类型:QSPI, SPI, Serial (3-Wire, Microwire) 稳定时间:1 us 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。