参数资料
| 型号： | MCP601-I/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 30/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP SNGL SUPPLY R-R 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 2.3 V/µs |
| 增益带宽积： | 2.8MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1pA |
| 电压 - 输入偏移： | 700µV |
| 电流 - 电源： | 230µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 22mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 678 (CN2011-ZH PDF) |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页当前第30页第31页第32页第33页第34页
2007 Microchip Technology Inc.
DS21314G-page 5
MCP601/1R/2/3/4
2.0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Note: Unless otherwise indicated, T
A = +25°C, VDD = +2.7V to +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2, VOUT ≈ VDD/2,
VL = VDD/2, RL = 100 kΩ to VL, CL = 50 pF and CS is tied low.
FIGURE 2-1:
Open-Loop Gain, Phase vs.
Frequency.
FIGURE 2-2:
Slew Rate vs. Temperature.
FIGURE 2-3:
Gain Bandwidth Product,
Phase Margin vs. Temperature.
FIGURE 2-4:
Quiescent Current vs.
Supply Voltage.
FIGURE 2-5:
Quiescent Current vs.
Temperature.
FIGURE 2-6:
Input Noise Voltage Density
vs. Frequency.
Note:
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
1.E-
01
1.E+
00
1.E+
01
1.E+
02
1.E+
03
1.E+
04
1.E+
05
1.E+
06
1.E+
07
Frequency (Hz)
Open-
Loop
Gain
(
d
B
)
-240
-210
-180
-150
-120
-90
-60
-30
0
Open-
Loop
P
h
ase
(
°)
0.1
1
10 100
1k 10k 100k 1M 10M
Gain
Phase
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
-50
-25
0
255075
100
125
Ambient Temperature (°C)
S
lew
Ra
te
(V
/s)
Rising Edge
Falling Edge
VDD = 5.0V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125
Ambient Temperature (°C)
Gain
Bandwidt
h
P
roduct
(M
H
z)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
Pha
s
eMa
rgin,
G
=
+1
(°)
GBWP
PM, G = +1
0
50
100
150
200
250
300
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Supply Voltage (V)
Quie
sc
ent
Current
pe
rAmplifie
r(A)
IO = 0
TA = -40°C
TA = +25°C
TA = +85°C
TA = +125°C
0
50
100
150
200
250
300
-50
-25
0
255075
100
125
Ambient Temperature (°C)
Quie
sc
ent
Current
pe
rAmplifie
r(A)
VDD = 2.7V
VDD = 5.5V
IO = 0
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E-
01
1.E+0
0
1.E+0
1
1.E+0
2
1.E+0
3
1.E+0
4
1.E+0
5
1.E+0
6
Frequency (Hz)
Input
Noise
Voltage
Densit
y
(V
/√
Hz)
0.1
1
10
100
1k
10k 100k
1M
10
1
100n
10n
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1-535542-7 | CONN RECEPT 34POS .100 VERT DUAL |
| 7-534237-9 | 31 MODII VRT SR CE 100/115 |
| 4-102084-8 | CONN RCPT 36POS HORZ DUAL TIN |
| MCP6H01T-E/OT | IC OP AMP 16V 1.2MHZ SGL SOT23-5 |
| 0741621432 | CONN RCPT R/A 32POS 2.54MM GOLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP601-IST | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:2.7V to 5.5V Single Supply CMOS Op Amps |
| MCP601R | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:2.7V to 6.0V Single Supply CMOS Op Amps |
| MCP601RT | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:2.7V to 5.5V Single-Supply CMOS Op Amps |
| MCP601RT-E/OT | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 2.7V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP601RT-E/OT | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:; LEADED PROCESS COMPATIBLE:YES; PEAK RE 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC, OP AMP, 1 MHz, 2.3 V/ us, 2.8 mV, 5-SOT-23 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。