参数资料
| 型号： | MCP602-E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 23/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP DUAL 2.7V 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 2.3 V/µs |
| 增益带宽积： | 2.8MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1pA |
| 电压 - 输入偏移： | 700µV |
| 电流 - 电源： | 230µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 22mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 678 (CN2011-ZH PDF) |
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2007 Microchip Technology Inc.
DS21314G-page 3
MCP601/1R/2/3/4
AC CHARACTERISTICS
MCP603 CHIP SELECT (CS) CHARACTERISTICS
FIGURE 1-1:
MCP603 Chip Select (CS)
Timing Diagram.
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, T
A = +25°C, VDD = +2.7V to +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,
VOUT ≈ VDD/2, VL = VDD/2, and RL = 100 kΩ to VL, CL = 50 pF, and CS is tied low. (Refer to Figure 1-2 and Figure 1-3).
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Frequency Response
Gain Bandwidth Product
GBWP
—
2.8
—
MHz
Phase Margin
PM
—
50
—
°
G = +1 V/V
Step Response
Slew Rate
SR
—
2.3
—
V/s
G = +1 V/V
Settling Time (0.01%)
tsettle
—
4.5
—
s
G = +1 V/V, 3.8V step
Noise
Input Noise Voltage
Eni
—7
—
VP-P
f = 0.1 Hz to 10 Hz
Input Noise Voltage Density
eni
—29
—
nV/
√Hz f = 1 kHz
eni
—21
—
nV/
√Hz f = 10 kHz
Input Noise Current Density
ini
—0.6
—
fA/
√Hz f = 1 kHz
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, T
A = +25°C, VDD = +2.7V to +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,
VOUT ≈ VDD/2, VL = VDD/2, and RL = 100 kΩ to VL, CL = 50 pF, and CS is tied low. (Refer to Figure 1-2 and Figure 1-3).
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
CS Low Specifications
CS Logic Threshold, Low
VIL
VSS
—
0.2 VDD
V
CS Input Current, Low
ICSL
-1.0
—
A
CS = 0.2VDD
CS High Specifications
CS Logic Threshold, High
VIH
0.8 VDD
—VDD
V
CS Input Current, High
ICSH
—0.7
2.0
A
CS = VDD
Shutdown VSS current
IQ_SHDN
-2.0
-0.7
—
A
CS = VDD
Amplifier Output Leakage in Shutdown
IO_SHDN
—1
—
nA
Timing
CS Low to Amplifier Output Turn-on Time
tON
—3.1
10
s
CS
≤ 0.2V
DD, G = +1 V/V
CS High to Amplifier Output High-Z Time
tOFF
—100
—
ns
CS
≥ 0.8V
DD, G = +1 V/V, No load.
Hysteresis
VHYST
—0.4
—
V
VDD = 5.0V
CS
tOFF
VOUT
tON
Hi-Z
IDD
2nA
230 A
Output Active
ISS
-700 nA
-230 A
CS
700 nA
2nA
Current
(typical)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP6021T-E/OT | IC OPAMP 2.5V R-R I/O SOT23-5 |
| 1589483-9 | CONN RCPT 9POS R/A SMD |
| 0713085614 | CONN SMD BKWY HDR TIN 14POS |
| 1-1589483-4 | CONN RCPT 15POS SMD |
| 531134-1 | CONN RCPT 3ROW 90POS T/H GOLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP602-EST | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:2.7V to 6.0V Single Supply CMOS Op Amps |
| MCP602-I | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:2.7V to 5.5V Single Supply CMOS Op Amps |
| MCP602-I/P | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 2.7V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP602-I/P | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:OP AMP DUAL CMOS RRO/P DIP8 602 |
| MCP602-I/SL | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述: |
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