参数资料
| 型号： | MCP6021T-I/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 38/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP 2.5V R-R I/O 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 7 V/µs |
| 增益带宽积： | 10MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1pA |
| 电压 - 输入偏移： | 500µV |
| 电流 - 电源： | 1mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MCP6021TI/SN |
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2009 Microchip Technology Inc.
DS21685D-page 5
MCP6021/1R/2/3/4
TEMPERATURE CHARACTERISTICS
FIGURE 1-1:
Timing diagram for the CS
pin on the MCP6023.
1.1
Test Circuits
The test circuits used for the DC and AC tests are
shown in Figure 1-2 and Figure 1-3. The bypass
capacitors are laid out according to the rules discussed
FIGURE 1-2:
AC and DC Test Circuit for
Most Non-Inverting Gain Conditions.
FIGURE 1-3:
AC and DC Test Circuit for
Most Inverting Gain Conditions.
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, VDD = +2.5V to +5.5V and VSS = GND.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Temperature Ranges
Industrial Temperature Range
TA
-40
—
+85
°C
Extended Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
Operating Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
Storage Temperature Range
TA
-65
—
+150
°C
Thermal Package Resistances
Thermal Resistance, 5L-SOT-23
θ
JA
—
256
—
°C/W
Thermal Resistance, 8L-PDIP
θ
JA
—85
—
°C/W
Thermal Resistance, 8L-SOIC
θ
JA
—
163
—
°C/W
Thermal Resistance, 8L-MSOP
θ
JA
—
206
—
°C/W
Thermal Resistance, 8L-TSSOP
θ
JA
—
124
—
°C/W
Thermal Resistance, 14L-PDIP
θ
JA
—70
—
°C/W
Thermal Resistance, 14L-SOIC
θ
JA
—
120
—
°C/W
Thermal Resistance, 14L-TSSOP
θ
JA
—
100
—
°C/W
Note
1:
The industrial temperature devices operate over this extended temperature range, but with reduced performance. In any
case, the internal junction temperature (TJ) must not exceed the absolute maximum specification of 150°C.
High-Z
tON
CS
tOFF
VOUT
-50 nA
High-Z
ISS
ICS
10 nA
-50 nA
-1 mA
Amplifier On
(typical)
VDD
MCP6021
2k
Ω
2k
Ω
1k
Ω
VOUT
VIN
VDD/2
1F
CL
RL
VL
0.1 F
CB1
RN
RG
RF
60 pF
10 k
Ω
CB2
VDD
MCP6021
2k
Ω
1k
Ω
VOUT
VDD/2
VIN
1F
VL
0.1 F
2k
Ω
CL
RL
CB1
RN
RG
RF
60 pF
10 k
Ω
CB2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TV04A300JB-HF | TVS 400W 30V BIDIRECT 5% SMA |
| TV04A280JB-HF | TVS 400W 28V BIDIRECT 5% SMA |
| TV04A251JB-G | TVS 400W 250V BIDIRECT 5% SMA |
| TV04A240JB-HF | TVS 400W 24V BIDIRECT 5% SMA |
| TV04A221JB-G | TVS 400W 220V BIDIRECT 5% SMA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP6022 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:Rail-to-Rail Input/Output, 10 MHz Op Amps |
| MCP6022-E/MS | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:Rail-to-Rail Input/Output, 10 MHz Op Amps |
| MCP6022-E/OT | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:Rail-to-Rail Input/Output, 10 MHz Op Amps |
| MCP6022-E/P | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 2.5V 10MHz RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP6022-E/SL | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:Rail-to-Rail Input/Output, 10 MHz Op Amps |
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