参数资料
| 型号： | MCP606T-I/ST |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 34/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP 2.5V R-R 8TSSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 0.08 V/µs |
| 增益带宽积： | 155kHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1pA |
| 电压 - 输入偏移： | 250µV |
| 电流 - 电源： | 18.7µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 17mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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MCP606/7/8/9
DS11177F-page 4
2009 Microchip Technology Inc.
AC CHARACTERISTICS
MCP608 CHIP SELECT CHARACTERISTICS
FIGURE 1-1:
Timing Diagram for the CS
Pin on the MCP608.
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, V
DD = +2.5V to +5.5V, VSS =GND, TA =+25°C, VCM =VDD/2,
VOUT ≈ VDD/2, VL = VDD/2, RL = 100 kΩ to VL and CL = 60 pF, and CS is tied low (refer to Figure 1-2 and Figure 1-3).
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
AC Response
Gain Bandwidth Product
GBWP
—
155
—
kHz
Phase Margin
PM
—
62
—
°
G = +1 V/V
Slew Rate
SR
—
0.08
—
V/s
Noise
Input Noise Voltage
Eni
—2.8
—
VP-P
f = 0.1 Hz to 10 Hz
Input Noise Voltage Density
eni
—38
—
nV/
√Hz f = 1 kHz
Input Noise Current Density
ini
—3
—
fA/
√Hz
f = 1 kHz
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, V
DD = +2.5V to +5.5V, VSS =GND, TA =+25°C, VCM =VDD/2,
VOUT ≈ VDD/2, VL = VDD/2, RL = 100 kΩ to VL and CL = 60 pF, and CS is tied low (refer to Figure 1-2 and Figure 1-3).
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
CS Low Specifications
CS Logic Threshold, Low
VIL
VSS
—0.2 VDD
V
CS Input Current, Low
ICSL
-0.1
0.01
—
A
CS = 0.2VDD
CS High Specifications
CS Logic Threshold, High
VIH
0.8 VDD
—VDD
V
CS Input Current, High
ICSH
—0.01
0.1
A
CS = VDD
CS Input High, GND Current
ISS
-2
-0.05
—
A
CS = VDD
Amplifier Output Leakage, CS High
IO(LEAK)
—10
—
nA
CS = VDD
CS Dynamic Specifications
CS Low to Amplifier Output Turn-on Time
tON
—
9
100
s
CS = 0.2VDD to VOUT = 0.9 VDD/2,
G = +1 V/V, RL = 1 kΩ to VSS
CS High to Amplifier Output Hi-Z
tOFF
—0.1
—
s
CS = 0.8VDD to VOUT = 0.1 VDD/2,
G = +1 V/V, RL = 1 kΩ to VSS
CS Hysteresis
VHYST
—0.6
—
V
VDD = 5.0V
CS
VOUT
ISS
ICS
VIL
VIH
tON
tOFF
-50 nA
-18.7 A
-50 nA
Hi-Z
(typical)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP606T-I/SN | IC OPAMP 2.5V R-R 8SOIC |
| MTSW-120-10-T-S-575 | CONN HEADER 20POS .100" STR TIN |
| 77311-102T14LF | BERGSTIK |
| 68764-236HLF | BERGSTIK II SR RIGHT ANGLE |
| 77311-419-12LF | HDR STR SR.100 TP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP607 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:2.5V TO 5.5V MICROPOWER CMOS OP AMPS |
| MCP6071 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:110 μA, High Precision Op Amps |
| MCP6071_10 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:110 uA, High Precision Op Amps |
| MCP6071-E | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:110 uA, High Precision Op Amps |
| MCP6071-E/MNY | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:110 μA, High Precision Op Amps |
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