参数资料
| 型号： | MCP634T-E/SL |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 34/62页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OP AMP QUAD 24MHZ 14-SOIC |
| 标准包装： | 2,600 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 4 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 10 V/µs |
| 增益带宽积： | 24MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 4pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1800µV |
| 电流 - 电源： | 2.5mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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MCP631/2/3/4/5/9
DS22197B-page 4
2009-2011 Microchip Technology Inc.
TABLE 1-2:
AC ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, TA =+25°C, VDD = +2.5V to +5.5V, VSS =GND, VCM =VDD/2,
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
AC Response
Gain Bandwidth Product
GBWP
—
24
—
MHz
Phase Margin
PM
—
65
—
°
G = +1
Open Loop Output Impedance
ROUT
—20
—
AC Distortion
Total Harmonic Distortion plus Noise
THD+N
—
0.0015
—
%
G = +1, VOUT = 2VP-P, f = 1 kHz,
VDD = 5.5V, BW = 80 kHz
Step Response
Rise Time, 10% to 90%
tr
—
20
—
ns
G = +1, VOUT = 100 mVP-P
Slew Rate
SR
—
10
—
V/s
G = +1
Noise
Input Noise Voltage
Eni
—16
—
VP-P f = 0.1 Hz to 10 Hz
Input Noise Voltage Density
eni
—10
—
nV/
Hz f = 1 MHz
Input Noise Current Density
ini
4—
fA/
Hz f = 1 kHz
TABLE 1-3:
DIGITAL ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2, VOUT VDD/
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
CS Low Specifications
CS Logic Threshold, Low
VIL
VSS
—0.2VDD
V
CS Input Current, Low
ICSL
—0.1
—
nA
CS = 0V
CS High Specifications
CS Logic Threshold, High
VIH
0.8VDD
VDD
V
CS Input Current, High
ICSH
—0.7
—
A
CS = VDD
GND Current
ISS
-2
-1
—A
CS Internal Pull-Down Resistor
RPD
—5
—
M
Amplifier Output Leakage
IO(LEAK)
—50—
nA
CS = VDD, TA = +125°C
CS Dynamic Specifications
CS Input Hysteresis
VHYST
—
0.25
—
V
CS High to Amplifier Off Time
(output goes High-Z)
tOFF
—
200
—
ns
G = +1 V/V, VL = VSS
CS = 0.8VDD to VOUT = 0.1(VDD/2)
CS Low to Amplifier On Time
tON
—2
10
s
G = +1 V/V, VL = VSS,
CS = 0.2VDD to VOUT = 0.9(VDD/2)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP635-E/MF | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 24MHz OP w /CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP635-E/UN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 24MHz OP w /CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP635T-E/MF | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 24MHz OP w /CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP635T-E/UN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 24MHz OP w /CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP639-E/ML | 功能描述:运算放大器 - 运放 Quad 24MHz OP w/CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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