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参数资料
| 型号： | MCP6561UT-E/OT |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC COMP PUSH-PULL 1.8V SOT23-5 |
| 产品培训模块： | MCP656x |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 通用 |
| 元件数： | 1 |
| 输出类型： | CMOS，推挽式，满摆幅，TTL |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 输入偏移（最小值）： | 10mV @ 5.5V |
| 电流 - 输入偏压（最小值）： | 1pA @ 5.5V |
| 电流 - 输出（标准）： | 50mA |
| 电流 - 静态（最大值）： | 130µA |
| CMRR, PSRR（标准）： | 66dB CMRR，70dB PSRR |
| 传输延迟（最大）： | 80ns |
| 磁滞： | 5mV |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | SC-74A，SOT-753 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 681 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MCP6561UT-E/OTDKR |
2009 Microchip Technology Inc.
DS22139B-page 5
MCP6561/1R/1U/2/4
2.0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Note: Unless otherwise indicated, VDD = +1.8V to +5.5V, VSS = GND, TA = +25°C, VIN+ = VDD/2, VIN– = GND,
RL = 10 kΩ to VDD/2, and CL = 25 pF.
FIGURE 2-1:
Input Offset Voltage.
FIGURE 2-2:
Input Offset Voltage Drift.
FIGURE 2-3:
Input vs. Output Signal, No
Phase Reversal.
FIGURE 2-4:
Input Hysteresis Voltage.
FIGURE 2-5:
Input Hysteresis Voltage
Drift - Linear Temp. Co. (TC1).
FIGURE 2-6:
Input Hysteresis Voltage
Drift - Quadratic Temp. Co. (TC2).
Note:
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
0%
10%
20%
30%
40%
50%
-10
-8-6-4
-2
0
2
4
6
8
10
VOS (mV)
O
c
cu
rr
en
c
e
s
(
%
)
VDD = 1.8V
VCM = VSS
Avg. = -0.1 mV
StDev = 2.1 mV
3588 units
VDD = 5.5V
VCM = VSS
Avg. = -0.9 mV
StDev = 2.1 mV
3588 units
0%
10%
20%
30%
40%
50%
60%
-60 -48 -36 -24 -12
0
12
24
36
48
60
VOS Drift (V/°C)
O
c
cu
rr
en
c
e
s
(
%
)
VCM = VSS
Avg. = 0.9 V/°C
StDev = 6.6 V/°C
1380 Units
TA = -40°C to +125°C
-1.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
Time (3 s/div)
V
OU
T
(V
)
VIN-
VOUT
VDD = 5.5V
VIN+ = VDD/2
0%
5%
10%
15%
20%
25%
30%
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
HYST (mV)
O
ccu
rr
e
n
c
es
(
%
)
VDD = 1.8V
Avg. = 3.4 mV
StDev = 0.2 mV
3588 units
VDD = 5.5V
Avg. = 3.6 mV
StDev = 0.1 mV
3588 units
0%
10%
20%
30%
40%
50%
60%
02
468
10
12
14
16
18
20
VHYST Drift, TC1 (V/°C)
O
c
cu
rr
en
c
e
s
(
%
)
1380 Units
TA = -40°C to 125°C
VCM = VSS
VDD = 5.5V
Avg. = 10.4 V/°C
StDev = 0.6 V/°C
VDD = 1.8V
Avg. = 12 V/°C
StDev = 0.6 V/°C
0%
10%
20%
30%
-0.50
-0.25
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
VHYST Drift, TC2 (V/°C
2)
O
c
cu
rr
en
c
e
s
(
%
)
VDD = 5.5V
Avg. = 0.25 V/°C
2
StDev = 0.1 V/°C
2
VDD = 1.8V
Avg. = 0.3 V/°C
2
StDev = 0.2 V/°C
2
1380 Units
TA = -40°C to +125°C
VCM = VSS
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参数描述 |
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| MCP6562A-E/UN | 功能描述:校验器 IC Dual 18V Push/Pull Cmparatr w/CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品: 比较器类型: 通道数量: 输出类型:Push-Pull 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.1 V 补偿电压（最大值）:6 mV 电源电流（最大值）:1350 nA 响应时间: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-70-5 封装:Reel |
| MCP6562AT-E/MF | 功能描述:校验器 IC Dual 18V Push/Pull Cmparatr w/CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品: 比较器类型: 通道数量: 输出类型:Push-Pull 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.1 V 补偿电压（最大值）:6 mV 电源电流（最大值）:1350 nA 响应时间: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-70-5 封装:Reel |
| MCP6562AT-E/UN | 功能描述:校验器 IC Dual 18V Push/Pull Cmparatr w/CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品: 比较器类型: 通道数量: 输出类型:Push-Pull 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.1 V 补偿电压（最大值）:6 mV 电源电流（最大值）:1350 nA 响应时间: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-70-5 封装:Reel |
| MCP6562-E/MC | 功能描述:校验器 IC Dual 18V Push/Pull Comparator E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品: 比较器类型: 通道数量: 输出类型:Push-Pull 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.1 V 补偿电压（最大值）:6 mV 电源电流（最大值）:1350 nA 响应时间: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-70-5 封装:Reel |
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