参数资料
| 型号： | MCP662T-E/MS |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 66/68页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP R-R 60MHZ DUAL 8MSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 32 V/µs |
| 增益带宽积： | 60MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 6pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1800µV |
| 电流 - 电源： | 6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 80mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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2009-2012 Microchip Technology Inc.
DS22194D-page 7
MCP660/1/2/3/4/5/9
2.0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Note: Unless indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/3, VOUT = VDD/2, VL = VDD/2,
RL = 1 kto VL, CL = 20 pF and CS = VSS.
2.1
DC Signal Inputs
FIGURE 2-1:
Input Offset Voltage.
FIGURE 2-2:
Input Offset Voltage Drift.
FIGURE 2-3:
Input Offset Voltage vs.
Power Supply Voltage with VCM = 0V.
FIGURE 2-4:
Input Offset Voltage vs.
Output Voltage.
FIGURE 2-5:
Low Input Common Mode
Voltage Headroom vs. Ambient Temperature.
FIGURE 2-6:
High Input Common Mode
Voltage Headroom vs. Ambient Temperature.
Note:
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
0%
2%
4%
6%
8%
10%
12%
14%
16%
18%
20%
22%
-6 -5 -4 -3 -2 -1
0
1
2
3
4
5
6
Input Offset Voltage (mV)
P
e
rcen
ta
g
e
o
f
O
cc
u
rr
en
ce
s
100 Samples
TA = +25°C
VDD = 2.5V and 5.5V
0%
2%
4%
6%
8%
10%
12%
14%
16%
18%
20%
22%
24%
-12 -10 -8 -6 -4 -2
0
2
4
6
8 10 12
Input Offset Voltage Drift (V/°C)
P
e
rc
e
n
ta
g
e
o
f
Oc
cu
rr
e
n
ce
s
100 Samples
VDD = 2.5V and 5.5V
TA = -40°C to +125°C
-2.0
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
1.52.0 2.53.0 3.54.0 4.55.0 5.56.0 6.5
Power Supply Voltage (V)
In
pu
tO
ff
set
V
o
lt
ag
e
(m
V
)
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
Representative Part
VCM = VSS
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Output Voltage (V)
In
p
u
tO
ff
se
tVo
lt
ag
e
(m
V
)
VDD = 2.5V
VDD = 5.5V
Representative Part
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
L
o
w
Input
C
o
mmon
M
ode
H
e
ad
room
(V
)
VDD = 2.5V
1 Lot
Low (VCMR_L – VSS)
VDD = 5.5V
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
H
ig
h
In
p
u
tC
o
mmo
n
Mode
H
ea
d
ro
om
(V
)
VDD = 2.5V
VDD = 5.5V
1 Lot
High (VDD – VCMR_H)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| TVP06B9V1A-G | TVS 600W 9.1V UNIDIRECT SMC |
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| MCP662T-E/SN | IC OPAMP R-R 60MHZ DUAL 8SOIC |
| MCP608-I/ST | IC OPAMP 2.5V R-R W/CS 8TSSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MCP663T-E/CHY | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP w/CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP663T-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP w /CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP664-E/SL | 功能描述:运算放大器 - 运放 Quad 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP664-E/ST | 功能描述:运算放大器 - 运放 Quad 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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