参数资料
| 型号： | MCP664T-E/SL |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/68页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP QUAD 60MHZ 14SOIC |
| 标准包装： | 2,600 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 4 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 32 V/µs |
| 增益带宽积： | 60MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 6pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1800µV |
| 电流 - 电源： | 6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 80mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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MCP660/1/2/3/4/5/9
DS22194D-page 16
2009-2012 Microchip Technology Inc.
Note: Unless indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/3, VOUT = VDD/2, VL = VDD/2,
RL = 1 kto VL, CL = 20 pF and CS = VSS.
2.6
Chip Select Response
FIGURE 2-42:
CS Current vs. Power
Supply Voltage.
FIGURE 2-43:
CS and Output Voltages vs.
Time with VDD = 2.5V.
FIGURE 2-44:
CS and Output Voltages vs.
Time with VDD = 5.5V.
FIGURE 2-45:
CS Hysteresis vs. Ambient
Temperature.
FIGURE 2-46:
CS Turn On Time vs.
Ambient Temperature.
FIGURE 2-47:
CS’s Pull-down Resistor
(RPD) vs. Ambient Temperature.
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Power Supply Voltage (V)
CS
C
u
rr
en
t
(
A
)
CS = VDD
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Time (s)
CS
,V
OU
T(V
)
VDD = 2.5V
G = 1
VL = 0V
On
CS
VOUT
Off
-1
0
1
2
3
4
5
6
01
23
4
5
67
89
10
Time (s)
CS
,V
OU
T(V
)
VDD = 5.5V
G = 1
VL = 0V
On
CS
VOUT
Off
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
C
S
H
yst
er
esis
(
V
)
VDD = 2.5V
VDD = 5.5V
0
1
2
3
4
5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
C
S
Tu
rn
O
n
Tim
e(
s)
VDD = 2.5V
VDD = 5.5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
255075
100
125
Ambient Temperature (°C)
C
S
Pu
ll-
d
o
w
n
R
e
sis
to
r
(M
)
Representative Part
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP664T-E/ST | IC OPAMP QUAD 60MHZ 14TSSOP |
| 108478048008025 | CONN HEADR INVRTD 48POS STR PCB |
| 208484012001049 | CONNECTOR RECEPT 12POS STR |
| FDI18-250C | CONN INSUL FEMALE 22-18AWG .250" |
| 108478032001025 | CONN HEADR INVRTD 32POS STR PCB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP665-E/MF | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 60MHz OP w /CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP665-E/UN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 60MHz OP w /CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP665T-E/MF | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 60MHz OP w /CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP665T-E/UN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 60MHz OP w /CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP669-E/ML | 功能描述:运算放大器 - 运放 Quad 60MHz OP w/CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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