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参数资料
型号： MCP669-E/ML
厂商： Microchip Technology
文件页数： 66/68页
文件大小： 0K
描述： IC OPAMP QUAD 6MA 60MHZ 16QFN
标准包装： 91
放大器类型： 通用
电路数： 4
输出类型： 满摆幅
转换速率： 32 V/µs
增益带宽积： 60MHz
电流 - 输入偏压： 6pA
电压 - 输入偏移： 1800µV
电流 - 电源： 6mA
电流 - 输出 / 通道： 80mA
电压 - 电源，单路/双路(±)： 2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装： 16-QFN（4x4）
包装： 管件
2009-2012 Microchip Technology Inc.
DS22194D-page 7
MCP660/1/2/3/4/5/9
2.0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Note: Unless indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/3, VOUT = VDD/2, VL = VDD/2,
RL = 1 kto VL, CL = 20 pF and CS = VSS.
2.1
DC Signal Inputs
FIGURE 2-1:
Input Offset Voltage.
FIGURE 2-2:
Input Offset Voltage Drift.
FIGURE 2-3:
Input Offset Voltage vs.
Power Supply Voltage with VCM = 0V.
FIGURE 2-4:
Input Offset Voltage vs.
Output Voltage.
FIGURE 2-5:
Low Input Common Mode
Voltage Headroom vs. Ambient Temperature.
FIGURE 2-6:
High Input Common Mode
Voltage Headroom vs. Ambient Temperature.
Note:
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
0%
2%
4%
6%
8%
10%
12%
14%
16%
18%
20%
22%
-6 -5 -4 -3 -2 -1
0
1
2
3
4
5
6
Input Offset Voltage (mV)
P
e
rcen
ta
g
e
o
f
O
cc
u
rr
en
ce
s
100 Samples
TA = +25°C
VDD = 2.5V and 5.5V
0%
2%
4%
6%
8%
10%
12%
14%
16%
18%
20%
22%
24%
-12 -10 -8 -6 -4 -2
0
2
4
6
8 10 12
Input Offset Voltage Drift (V/°C)
P
e
rc
e
n
ta
g
e
o
f
Oc
cu
rr
e
n
ce
s
100 Samples
VDD = 2.5V and 5.5V
TA = -40°C to +125°C
-2.0
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
1.52.0 2.53.0 3.54.0 4.55.0 5.56.0 6.5
Power Supply Voltage (V)
In
pu
tO
ff
set
V
o
lt
ag
e
(m
V
)
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
Representative Part
VCM = VSS
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Output Voltage (V)
In
p
u
tO
ff
se
tVo
lt
ag
e
(m
V
)
VDD = 2.5V
VDD = 5.5V
Representative Part
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
L
o
w
Input
C
o
mmon
M
ode
H
e
ad
room
(V
)
VDD = 2.5V
1 Lot
Low (VCMR_L – VSS)
VDD = 5.5V
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
H
ig
h
In
p
u
tC
o
mmo
n
Mode
H
ea
d
ro
om
(V
)
VDD = 2.5V
VDD = 5.5V
1 Lot
High (VDD – VCMR_H)
相关PDF资料
PDF描述
ADA4084-2ACPZ-RL IC OPAMP GP RRIO 10MHZ DL 8LFCSP
TMM-130-01-T-D-SM CONN HEADER 60POS DUAL 2MM SMD
40KR85 FUSE 40A 415V HOUSE SERVICE BS88
LTC6079HGN#PBF IC OP AMP QUAD R-R I/O 16SSOP
TSW-148-17-T-D CONN HEADER 96POS .100" DUAL TIN
相关代理商/技术参数
参数描述
MCP669T-E/ML 功能描述:运算放大器 - 运放 Quad 60MHz OP w/CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP6G01-E/MS 功能描述:特殊用途放大器 Single Selectable Gain Amplifiers RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel
MCP6G01-E/P 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:SINGLE 1.8V, 1 MHZ GAIN BLOCK, E TEMP - Rail/Tube
MCP6G01-E/SN 功能描述:特殊用途放大器 Single Selectable Gain Amplifiers RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel
MCP6G01RT-E/OT 功能描述:特殊用途放大器 Sngl 1.8V1MHz Gain Blk E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel
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