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参数资料
| 型号： | MCP6H01T-E/MNY |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 1/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OP AMP 16V 1.2MHZ SNGL 8TDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 0.8 V/µs |
| 增益带宽积： | 1.2MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 10pA |
| 电压 - 输入偏移： | 700µV |
| 电流 - 电源： | 135µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 3.5 V ~ 16 V，±1.75 V ~ 8 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-TDFN（2x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MCP6H01T-E/MNYDKR |
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Summer 2012
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP6004-I/SL | IC OPAMP QUAD 1.8V 14SOIC |
| VAR-18080077M3P-XK | VARISTOR RING 7.7V 8.0MM 3-TERM |
| 0741621510 | CONN R/A HEADER GOLD 10POS |
| V68CH8T | VARISTR MOV 100A 1.5J SMD CH T/R |
| V47CH8 | VARISTR 47V 100A 1.2J SMD CH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP6H02-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 1 MHz 16V Dual Gen Purpose Op amp SOIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP6H02-E/SN | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:; Op Amp Type:Unity Gain Stable; No. of 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC, OP-AMP, 1.2MHz, 0.8V/ us, 3.5mV, SOIC-8 |
| MCP6H02T-E/MNY | 功能描述:运算放大器 - 运放 1 MHz 16V Dual Gen Purpose Op amp TDFN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP6H02T-E/MNY | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:; Op Amp Type:Unity Gain Stable; No. of 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC, OP-AMP, 1.2MHz, 0.8V/ us, 3.5mV, TDFN-8 |
| MCP6H02T-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 1 MHz 16V Dual Gen Purpose Op amp SOIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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