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参数资料
型号： MCP6N11T-001E/SN
厂商： Microchip Technology
文件页数： 34/50页
文件大小： 0K
描述： IC AMP INSTR RRIO 500KHZ 8SOIC
标准包装： 3,300
放大器类型： 仪表
电路数： 1
输出类型： 满摆幅
转换速率： 9 V/µs
增益带宽积： 500kHz
电流 - 输入偏压： 10pA
电压 - 输入偏移： 3000µV
电流 - 电源： 800µA
电流 - 输出 / 通道： 30mA
电压 - 电源，单路/双路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装： 8-SOICN
包装： 带卷 (TR)
MCP6N11
DS25073A-page 4
2011 Microchip Technology Inc.
Input Current and Impedance (Note 4)
Input Bias Current
IB
—
10
—
pA
all
Across Temperature
—
80
—
pA
TA= +85°C
Across Temperature
0
2
5
nA
TA= +125°C
Input Offset Current
IOS
—±1
—
pA
Across Temperature
—
±5
—
pA
TA= +85°C
Across Temperature
-1
±0.05
+1
nA
TA= +125°C
Common Mode Input
Impedance
ZCM
—1013||6
—
Ω||pF
Differential Input
Impedance
ZDIFF
—1013||3
—
Ω||pF
Input Common Mode Voltage (VCM or VREF) (Note 4)
Input Voltage Range
VIVL
——
VSS 0.2
V
all
(Note 5, Note 6)
VIVH
VDD +0.15
—
V
Common Mode
Rejection Ratio
CMRR
62
79
—
dB
1
VCM = VIVL to VIVH,
VDD =1.8V
69
87
—
dB
2
75
101
—
dB
5
79
107
—
dB
10
86
119
—
dB
100
70
94
—
dB
1
VCM = VIVL to VIVH,
VDD =5.5V
78
100
—
dB
2
80
108
—
dB
5
81
114
—
dB
10
88
115
—
dB
100
Common Mode
Non-Linearity
INLCM
-1000
±115
+1000
ppm
1
VCM = VIVL to VIVH,
VDM =0V,
VDD =1.8V (Note 7)
-570
±27
+570
ppm
2
-230
±11
+230
ppm
5
-125
±6
+125
ppm
10
-50
±2
+50
ppm
100
-400
±42
+400
ppm
1
VCM = VIVL to VIVH,
VDM =0V,
VDD =5.5V (Note 7)
-220
±10
+220
ppm
2
-100
±4
+100
ppm
5
-50
±2
+50
ppm
10
-30
±1
+30
ppm
100
TABLE 1-1:
DC ELECTRICAL SPECIFICATIONS (CONTINUED)
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, TA =+25°C, VDD = 1.8V to 5.5V, VSS = GND, EN/CAL =VDD,
VCM =VDD/2, VDM =0V, VREF =VDD/2, VL =VDD/2, RL =10 kΩ to VL and GDM =GMIN; see Figure 1-6 and Figure 1-7.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
GMIN
Conditions
Note 1:
VCM = (VIP + VIM) / 2, VDM = (VIP – VIM) and GDM = 1 + RF/RG.
2:
The VOS spec limits include 1/f noise effects.
3:
This is the input offset drift without VOS re-calibration; toggle EN/CAL to minimize this effect.
4:
These specs apply to both the VIP, VIM input pair (use VCM) and to the VREF, VFG input pair (VREF takes VCM’s place).
5:
This spec applies to the VIP, VIM, VREF and VFG pins individually.
6:
Figure 2-11 and Figure 2-19 show the VIVR and VDMR variation over temperature.
7:
See Section 1.5 “Explanation of DC Error Specs”.
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PDF描述
PCN13-100S-2.54DSA DIN CONN RCPT 100POS 2 ROW STR
75844-802-72 HDR STR DR .100 GP
961121-5900-AR-PT CONN HEADER R/A 21POS GOLD SMD
961218-5500-AR-TP CONN HEADER R/A 18POS GOLD SMD
PCN10-64ACP-2.54DSA DIN CONN HEADER 64POS 3 ROW STR
相关代理商/技术参数
参数描述
MCP6N11T-002E/MNY 功能描述:仪表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
MCP6N11T-002E/SN 功能描述:仪表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
MCP6N11T-005E/MNY 功能描述:仪表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
MCP6N11T-005E/SN 功能描述:仪表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
MCP6N11T-010E/MNY 功能描述:仪表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
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