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参数资料
型号： MCP6N11T-010E/SN
厂商： Microchip Technology
文件页数： 7/50页
文件大小： 0K
描述： IC AMP INSTR RRIO 5MHZ 8SOIC
标准包装： 3,300
放大器类型： 仪表
电路数： 1
输出类型： 满摆幅
转换速率： 9 V/µs
增益带宽积： 5MHz
电流 - 输入偏压： 10pA
电压 - 输入偏移： 500µV
电流 - 电源： 800µA
电流 - 输出 / 通道： 30mA
电压 - 电源，单路/双路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装： 8-SOICN
包装： 带卷 (TR)
2011 Microchip Technology Inc.
DS25073A-page 15
MCP6N11
Note: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = 1.8V to 5.5V, VSS = GND, EN/CAL =VDD, VCM = VDD/2, VDM =0V,
VREF =VDD/2, VL =VDD/2, RL = 10 kΩ to VL, CL = 60 pF and GDM = GMIN; see Figure 1-6 and Figure 1-7.
FIGURE 2-11:
Input Common Mode
Voltage Headroom vs. Ambient Temperature.
FIGURE 2-12:
Normalized Input Offset
Voltage vs. Common Mode Voltage, with
VDD = 1.8V and GMIN =1 to 10.
FIGURE 2-13:
Normalized Input Offset
Voltage vs. Common Mode Voltage, with
VDD = 1.8V and GMIN =100.
FIGURE 2-14:
Normalized Input Offset
Voltage vs. Common Mode Voltage, with
VDD = 5.5V and GMIN = 1 to 10.
FIGURE 2-15:
Normalized Input Offset
Voltage vs. Common Mode Voltage, with
VDD = 5.5V and GMIN =100.
FIGURE 2-16:
Normalized CMRR and
PSRR vs. Ambient Temperature.
0.4
0.5
o
m
1 Wafer Lot
V
IVH –VDD
0.2
0.3
H
eadro
o
00
0.1
0.2
a
nge
H
V
)
V
DD = 1.8V
02
-0.1
0.0
tage
R
a
(V
DD
V
DD = 5.5V
-0.3
-0.2
ut
V
o
lt
-0.5
-0.4
Inp
V
IVL –VSS
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
d
Input
Offset
V
o
ltage;
G
MIN
V
OS
(mV)
V
DD = 1.8V
Representative Part
G
MIN = 1 to 10
RTO
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Normalized
G
Input Common Mode Voltage (V)
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
-5
0
5
10
15
d
Input
Offset
V
o
ltage;
G
MIN
V
OS
(mV)
V
DD = 1.8V
Representative Part
G
MIN = 100
RTO
-15
-10
-5
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Normalized
G
Input Common Mode Voltage (V)
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
d
Input
Offset
V
o
ltage;
G
MIN
V
OS
(mV)
V
DD = 5.5V
Representative Part
G
MIN = 1 to 10
RTO
+125°C
+85
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Normalized
G
Input Common Mode Voltage (V)
+85°C
+25°C
-40°C
-5
0
5
10
15
d
Input
Offset
V
o
ltage;
G
MIN
V
OS
(mV)
V
DD = 5.5V
Representative Part
G
MIN = 100
RTO
-15
-10
-5
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Normalized
G
Input Common Mode Voltage (V)
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
105
110
B
)
CMRR / G
MIN, VDD = 1.8V:
G
MIN = 1
100
CMRR / G
MIN, VDD = 5.5V:
G
MIN = 1to10
95
100
P
SRR;
G
MIN
(d
B
G
MIN
1, 100
G
MIN = 2 to 10
G
MIN
1to10
G
MIN = 100
85
90
95
M
RR,
P
S
RR
/
G
80
85
ized
C
M
G
MIN
,P
S
70
75
N
ormal
RR
/
G
PSRR / G
MIN:
60
65
N
CM
PSRR / G
MIN:
G
MIN = 1 to 10
G
MIN = 100
60
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
相关PDF资料
PDF描述
MCP6N11T-005E/SN IC AMP INSTR RRIO 2.5MHZ 8SOIC
P6KE400CA-HF TVS 600W 400V BIDIRECT DO-15
76382-404 CONN HEADER 4POS .100" R/A TIN
76383-309 CONN HEADER 18PS.100 DL R/A GOLD
PCN10C-44S-2.54DS DIN CONN RCPT 44 POS 2 ROW R ANG
相关代理商/技术参数
参数描述
MCP6N11T-100E/MNY 功能描述:仪表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
MCP6N11T-100E/SN 功能描述:仪表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
MCP6S21-I/MS 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel
MCP6S21-I/P 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel
MCP6S21-I/P 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:AMP PROGRAMMABLE GAIN 1 CH 6S21
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