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参数资料
| 型号： | MCP6V31UT-E/LT |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/40页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP SGL ZERO DRIFT SC70-5 |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 零漂移 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 0.13 V/µs |
| 增益带宽积： | 300kHz |
| 电流 - 输入偏压： | 5pA |
| 电压 - 输入偏移： | 8µV |
| 电流 - 电源： | 23µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 21mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 |
| 供应商设备封装： | SC-70-5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MCP6V31UT-E/LTDKR |
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MCP6V31/1U
DS25127A-page 16
2012 Microchip Technology Inc.
Note:
Unless otherwise indicated, TA =+25°C, VDD = +1.8V to 5.5V, VSS = GND, VCM =VDD/3, VOUT =VDD/2,
VL =VDD/2, RL =100 k to VL and CL = 20 pF.
FIGURE 2-46:
Inverting Large Signal Step
Response.
FIGURE 2-47:
Slew Rate vs. Ambient
Temperature.
FIGURE 2-48:
Output Overdrive Recovery
vs. Time with G = -10 V/V.
FIGURE 2-49:
Output Overdrive Recovery
Time vs. Inverting Gain.
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
tput
V
o
ltage
(V)
V
DD = 5.5V
G = -1
0.0
0.5
1.0
1.5
0
50
100
150
200
250
300
350
400
Ou
t
Time (μs)
010
0.15
0.20
0.25
0.30
e
w
Rate
(V/μs)
Falling Edge
V
DD = 5.5V
0.00
0.05
0.10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Sl
e
Ambient Temperature (°C)
V
DD = 1.8V
Rising Edge
2
3
4
5
6
7
2
3
4
5
6
7
ltage
×
G
(1
V/div)
p
ut
V
o
ltage
(V)
V
=55V
V
OUT
G V
IN
-1
0
1
2
-1
0
1
2
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 10001100
Input
V
o
Out
p
Time (100 μs/div)
V
DD =5.5V
G = -10 V/V
0.5V Overdrive
V
OUT
G V
IN
1E 04
1.E-03
1.E-02
v
e
Recovery
T
ime
(s)
0.5V Input Overdrive
t
ODR, high
V
DD = 5.5V
V
DD = 1.8V
10m
1m
100μ
1.E-05
1.E-04
1
10
100
1000
Overdri
v
Inverting Gain Magnitude (V/V)
t
ODR, low
100μ
10μ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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