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参数资料
| 型号： | MCP73830LT-0AAI/MYY |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 4/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BATT MGMT LI-ION 200MA 6TDFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 功能： | 充电管理 |
| 电池化学： | 锂离子（Li-Ion）、锂聚合物（Li-Pol） |
| 电源电压： | 3.75 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-TDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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MCP73830/L
DC CHARACTERISTICS (CONTINUED)
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, all limits apply for V DD = [V REG (Typical) + 0.3V] to 6V,
T A = -40°C to +85°C. Typical values are at +25°C, V DD = [V REG (Typical) + 1.0V]
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Current Regulation (Fast Charge, Constant-Current Mode)
Fast Charge Current
I REG
20
—
200
mA
Regulation
MCP73830L
—
—
20
200
—
—
mA
mA
PROG = 10 k ?
PROG = 1 k ??
Fast Charge Current
I REG
100
—
1000
mA
Regulation
MCP73830
—
—
100
1000
—
—
mA
mA
PROG = 10 k ?
PROG = 1 k ??
Charge Current
I RTOL
—
10
—
%
V DD = 4.5V, T A = -5°C to +55°C
Tolerance
Preconditioning Current Regulation (Trickle Charge Constant Current Mode)
Precondition Current
Ratio
Precondition Voltage
I PREG /I REG
V PTH /V REG
—
—
70
10
100
72
—
—
75
%
%
%
PROG = 1 k ?? to 10 k ?
No Preconditioning
V BAT Low-to-High
Threshold Ratio
T A = -5°C to +55°C
Precondition
V PHYS
—
100
—
mV
Hysteresis
Charge Termination
Charge Termination
Current Ratio
I TERM /I REG
5.6
8
7.5
10
9.4
12
%
%
PROG = 1 k ?? to 10 k ?
V DD = 4.5V, T A =-5°C to +55°C
Automatic Recharge
Recharge Voltage
Threshold Ratio
V RTH /V REG
94.5
—
96.5
0
98.5
—
%
%
V BAT High-to-Low
No Automatic Recharge
Pass Transistor ON-Resistance
ON-Resistance
R DSON
—
500
—
m ?
Status Indicator - STAT
Sink Current
I SINK
—
16
30
mA
Low Output Voltage
Input Leakage Current
V OL
I LK
—
—
0.4
0.01
1
1
V
μA
I SINK = 4 mA
High Impedance, V DD on Pin
PROG Input
Charge Impedance
R PROG
1
—
10
k ?
Range
Automatic Power Down
Automatic Power
V PDENTRY
—
V BAT + 50 mV
—
V
V DD Falling
Down Entry Threshold
Automatic Power
V PDEXIT
—
V BAT + 150 mV
—
V
V DD Rising
Down Exit Threshold
Charge Enable (CE)
Input High Voltage
T SD
1.5
—
—
V
Level
Input Low Voltage
V IL
—
—
0.8
V
Level
Input Leakage Current
I LK
—
5
8
μA
V DD = 5V
T A = -5°C to +55°C
Note 1:
Not production tested. Ensured by design.
DS25049B-page 4
? 2011 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5500R-686K | HIGH CURRENT POWER CHOKE 68000UH |
| 381LR681M250A022 | CAP ALUM 680UF 250V 20% SNAP |
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| 381LX102M200A032 | CAP ALUM 1000UF 200V 20% SNAP |
| HCC07DRTI-S13 | CONN EDGECARD 14POS .100 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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