- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录11962 > MCR908JK1CDWE (Freescale Semiconductor)IC MCU 1.5K FLASH 20-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MCR908JK1CDWE |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 118/212页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 1.5K FLASH 20-SOIC |
| 标准包装： | 38 |
| 系列： | HC08 |
| 核心处理器： | HC08 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 外围设备： | LED，LVD，POR，PWM |
| 输入/输出数： | 14 |
| 程序存储器容量： | 1.5KB（1.5K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 3.3 V |
| 数据转换器： | A/D 12x8b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页当前第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页
Electrical Specifications
Technical Data
MC68H(R)C908JL3 — Rev. 1.1
202
Electrical Specifications
Freescale Semiconductor
18.14 Memory Characteristics
Table 18-11. Memory Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
RAM data retention voltage
VRDR
1.3
—
V
FLASH program bus clock frequency
—
1
—
MHz
FLASH read bus clock frequency
fRead
(1)
NOTES:
1. fRead is defined as the frequency range for which the FLASH memory can be read.
32k
8M
Hz
FLASH page erase time
tErase
(2)
2. If the page erase time is longer than tErase (Min), there is no erase-disturb, but it reduces the endurance of the
FLASH memory.
1—
ms
FLASH mass erase time
tMErase
(3)
3. If the mass erase time is longer than tMErase (Min), there is no erase-disturb, but it reduces the endurance of
the FLASH memory.
4—
ms
FLASH PGM/ERASE to HVEN set up time
tnvs
10
—
s
FLASH high-voltage hold time
tnvh
5—
s
FLASH high-voltage hold time (mass erase)
tnvhl
100
—
s
FLASH program hold time
tpgs
5—
s
FLASH program time
tPROG
30
40
s
FLASH return to read time
trcv
(4)
4. trcv is defined as the time it needs before the FLASH can be read after turning off the high voltage charge pump,
by clearing HVEN to logic 0.
1—
s
FLASH cumulative program hv period
tHV
(5)
5. tHV is defined as the cumulative high voltage programming time to the same row before next erase.
tHV must satisfy this condition: tnvs + tnvh + tpgs + (tPROG × 32) ≤ tHV max.
—4
ms
FLASH row erase endurance(6)
6. The minimum row endurance value specifies each row of the FLASH memory is guaranteed to work for at least
this many erase / program cycles.
—
10k
—
cycles
FLASH row program endurance(7)
7. The minimum row endurance value specifies each row of the FLASH memory is guaranteed to work for at least
this many erase / program cycles.
—
10k
—
cycles
FLASH data retention time(8)
8. The FLASH is guaranteed to retain data over the entire operating temperature range for at least the minimum
time specified.
—10
—
years
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-B1D-CU-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 85V 200W |
| MCHRC908JK3CPE | IC MCU 4K FLASH 20-PDIP |
| MCHRC908JK1CPE | IC MCU 1.5K FLASH 8BIT 20-PDIP |
| MCHRC705KJ1CDWE | IC MCU 8BIT 64 BYTES RAM 16-S0IC |
| MCHRC705JJ7CPE | IC MCU 8BIT 224 BYTES RAM 20PDIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCR908JK1ECDWE | 功能描述:8位微控制器 -MCU MCU 128RAM 4K FLASH A/D RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MCR908JK1ECDWER | 功能描述:8位微控制器 -MCU MCU 128RAM 4K FLASH A/D RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MCR908JK1ECPE | 功能描述:8位微控制器 -MCU MCU 128RAM 4K FLASH A/D RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MCR908JK3CDWE | 功能描述:IC MCU 4K FLASH 20-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 标准包装:1 系列:87C 核心处理器:MCS 51 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:SIO 外围设备:- 输入/输出数:32 程序存储器容量:8KB（8K x 8） 程序存储器类型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 数据转换器:- 振荡器型:外部 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:44-DIP 包装:管件 其它名称:864285 |
| MCR908JK3ECDWE | 功能描述:8位微控制器 -MCU MCU 128RAM 4K FLASH A/D RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。