参数资料
型号: MCR908JK1ECPE
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 106/180页
文件大小: 0K
描述: IC MCU 1.5K FLASH 8MHZ 20-DIP
标准包装: 18
系列: HC08
核心处理器: HC08
芯体尺寸: 8-位
速度: 8MHz
外围设备: LED,LVD,POR,PWM
输入/输出数: 14
程序存储器容量: 1.5KB(1.5K x 8)
程序存储器类型: 闪存
RAM 容量: 128 x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 2.7 V ~ 3.3 V
数据转换器: A/D 12x8b
振荡器型: 外部
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 20-DIP(0.300",7.62mm)
包装: 管件
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Flash Program Operation
MC68HC908JL3E Family Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
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2.10 Flash Program Operation
Programming of the Flash memory is done on a row basis. A row consists of 32 consecutive bytes starting
from addresses $XX00, $XX20, $XX40, $XX60, $XX80, $XXA0, $XXC0 or $XXE0. Use this step-by-step
procedure to program a row of Flash memory (Figure 2-5 shows a flowchart of the programming
algorithm):
1.
Set the PGM bit. This configures the memory for program operation and enables the latching of
address and data for programming.
2.
Write any data to any Flash location within the address range of the row to be programmed.
3.
Wait for a time, tnvs (10μs).
4.
Set the HVEN bit.
5.
Wait for a time, tpgs (5μs).
6.
Write data to the byte being programmed.
7.
Wait for time, tPROG (30μs).
8.
Repeat step 6 and 7 until all the bytes within the row are programmed.
9.
Clear the PGM bit.
10.
Wait for time, tnvh (5μs).
11.
Clear the HVEN bit.
12.
After time, trcv (1μs), the memory can be accessed in read mode again.
This program sequence is repeated throughout the memory until all data is programmed.
NOTE
The time between each Flash address change (step 6 to step 6), or the time
between the last Flash addressed programmed to clearing the PGM bit
(step 6 to step 10), must not exceed the maximum programming time,
tPROG max.
NOTE
Programming and erasing of Flash locations cannot be performed by code
being executed from the Flash memory. While these operations must be
performed in the order shown, other unrelated operations may occur
between the steps.
2.11 Flash Protection
Due to the ability of the on-board charge pump to erase and program the Flash memory in the target
application, provision is made to protect blocks of memory from unintentional erase or program operations
due to system malfunction. This protection is done by use of a Flash Block Protect Register (FLBPR). The
FLBPR determines the range of the Flash memory which is to be protected. The range of the protected
area starts from a location defined by FLBPR and ends to the bottom of the Flash memory ($FFFF). When
the memory is protected, the HVEN bit cannot be set in either ERASE or PROGRAM operations.
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MCR908JK3CDWE 功能描述:IC MCU 4K FLASH 20-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:HC08 标准包装:1 系列:87C 核心处理器:MCS 51 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:SIO 外围设备:- 输入/输出数:32 程序存储器容量:8KB(8K x 8) 程序存储器类型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 数据转换器:- 振荡器型:外部 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:44-DIP 包装:管件 其它名称:864285
MCR908JK3ECDWE 功能描述:8位微控制器 -MCU MCU 128RAM 4K FLASH A/D RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
MCR908JK3ECDWE 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:8-BIT MICROCONTROLLER IC HC08 8MHZ 20
MCR908JK3ECPE 功能描述:8位微控制器 -MCU MCU 128RAM 4K FLASH A/D RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
MCR908JK3EMDWE 功能描述:8位微控制器 -MCU MCU,128RAM 4K FLASH,A/D RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT