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参数资料
| 型号： | MCT5201M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER PHOTO TRANS 6DIP |
| 产品目录绘图： | Opto 6-DIP Package |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 120% @ 5mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 150mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2759 (CN2011-ZH PDF) |
Electrical Characteristics (T A = 25°C unless otherwise speci?ed)
Individual Component Characteristics
Symbol
Parameters
Test Conditions
Device
Min.
Typ.* Max. Units
EMITTER
V F
? V F
? T A
V R
C J
Input Forward Voltage
Forward Voltage Temp. Coef?cient
Reverse Voltage
Junction Capacitance
I F = 5mA
I F = 2mA
I R = 10μA
V F = 0V, f = 1.0MHz
All
All
All
All
6
1.25
-1.75
18
1.5
V
mV/°C
V
pF
DETECTOR
BV CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage I C = 1.0mA, I F = 0
All
30
100
V
BV CBO
BV EBO
Collector-Base Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
I C = 10μA, I F = 0
I E = 10μA, I F = 0
All
All
30
5
120
10
V
V
I CER
C CE
C CB
C EB
Collector-Emitter Dark Current
Capacitance, Collector to Emitter
Capacitance, Collector to Base
Capacitance, Emitter to Base
V CE = 10V, I F = 0,
R BE = 1M ?
V CE = 0, f = 1MHz
V CB = 0, f = 1MHz
V EB = 0, f = 1MHz
All
All
All
All
1
10
80
15
100
nA
pF
pF
pF
Isolation Characteristics
Symbol
V ISO
R ISO
Characteristic
Input-Output Isolation
Voltage (10)
Isolation Resistance (10)
Test Conditions
f = 60Hz, t = 1 sec.
V I-O = 500 VDC, T A = 25°C
Device
All
All
Min. Typ.* Max.
7500
10 11
Units
Vac(peak)
?
C ISO
Isolation Capacitance
(9)
V I-O = 0, f = 1 MHz
All
0.4
0.6
pF
CM H
Common Mode Transient
V CM = 50 V P-P1 , R L = 750 ? ,
MCT5210M/11M
5000
V/μs
I F = 0
Rejection – Output HIGH
V CM = 50 V P-P , R L = 1K ? ,
I F = 0
MCT5201M
CM L
Common Mode Transient
V CM = 50 V P-P1 , R L = 750 ? ,
MCT5210M/11M
5000
V/μs
I F =1.6mA
Rejection – Output LOW
V CM = 50 V P-P1 , R L = 1K ? ,
MCT5201M
I F = 5mA
*All typical T A = 25°C
?1983 Fairchild Semiconductor Corporation
MCT5201M, MCT5210M, MCT5211M Rev. 1.1.3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FFB0912VH-F00 | 12V DC FAN 92X92X25.4 MM |
| FFB0812SHE-F00 | 12V DC FAN 80X80X38 MM |
| 350431-4 | CONN HEADER 6POS VERT .250 GOLD |
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| FFB0812SH-R00 | FAN DC AXIAL 12V 80X25.4 W/SIGNL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MCT5201S | 功能描述:高速光耦合器 6-Pin Optocoupler Phototrans LoCurrent RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| MCT5201SD | 功能描述:高速光耦合器 6-Pin Optocoupler Phototrans LoCurrent RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| MCT5201SM | 功能描述:高速光耦合器 Phototrans LoCurrent RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| MCT5201SR2M | 功能描述:高速光耦合器 Phototrans LoCurrent RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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