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参数资料
| 型号： | MCT5211SR2M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER PHOTO TRANS 6SMD |
| 产品目录绘图： | Opto 6-SMD Package |
| 标准包装： | 1 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 75% @ 1mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 150mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2760 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MCT5211SR2MDKR |
Typical Electro-Optical Characteristics (T A = 25°C unless otherwise specified)
V CC = 5.0 V
V CC = 5.0 V
Pulse Gen
Z O = 50 ?
1K
Pulse Gen
Z O = 50 ?
1K
4.7K
f = 10KHz
f = 10KHz
10% D.F.
V O
10% D.F.
D1
D2
I F monitor
I F monitor
V O
D3
100 ?
330K
100 ?
330K
D4
t r , t f , t d , t s
TEST CIRCUIT
INPUT
Figure 13.
t PHL , t PLH
TEST CIRCUIT
(I F )
50%
0
t d
90%
90%
OUTPUT
(V O )
t PHL
t PLH
0
t r
1.3 V
10%
1.3 V
t s
10%
t f
Figure 14. Switching Circuit Waveforms
?1983 Fairchild Semiconductor Corporation
MCT5201M, MCT5210M, MCT5211M Rev. 1.1.3
9
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OSTVQ023151 | TERM BLOCK RISING CLAMP 2POS |
| OSTHC060080 | CONN TERM BLOCK 6POS 3.5MM |
| 179592-1 | CONN CONT RCPT 26-22AWG PRE-TIN |
| OSTVN04A100 | CONN TERM BLOCK 2.54MM 4POS PCB |
| OSTHL040090 | CONN TERM BLOCK 4POS 3.5MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCT5211SR2VM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR OUTPUT, SURFACE MOUNT LEAD BEND, VDE, T&R - Tape and Reel |
| MCT5211SVM | 功能描述:高速光耦合器 Trans out, Lead bend VDE, WHITE RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| MCT5211TM | 功能描述:高速光耦合器 Optocoupl DC-In 1-Ch w/Base DC-Out 6-Pin RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| MCT5211TVM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6P-DIP LO-INPUT CURR PHOTO OUTPT-OPTOCOUP RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| MCT5211W | 功能描述:高速光耦合器 6-Pin Optocoupler Phototrans LoCurrent RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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