参数资料
型号: MCZ33880EW
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 9/25页
文件大小: 0K
描述: IC SWITCH OCTAL SER I/O 32-SOIC
标准包装: 42
类型: 高端/低端驱动器
输入类型: SPI
输出数: 8
导通状态电阻: 550 毫欧
电流 - 峰值输出: 1.4A
电源电压: 5.5 V ~ 24.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 32-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 32-SOIC
包装: 管件
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TIMING DIAGRAMS
TIMING DIAGRAMS
CS
0.2 V DD
t LEAD
t LAG
SCLK
0.7 V DD
0.2 V DD
t DI(SU) t DI(HOLD)
DI
0.7 V DD
0.2 V DD
MSB in
t DO(EN)
t VALID
t DO(DIS)
DO
0.7 V DD
0.2 V DD
MSB out
LSB out
Figure 5. SPI Timing Diagram
V DD = 5.0 V
33880
V DD = 5.0 V
V PWR = 13 V
SCLK
Under
Test
DO
C L = 200 pF
CS
33880
Under
Test
R L = 620 Ω
Output
C L
NOTE: C L represents the total capacitance of the test
fixture and probe.
Figure 6. Valid Data Delay Time
NOTE: C L represents the total capacitance of the test
fixture and probe.
and Valid Time Test Circuit
Figure 8. Switching Time Test Circuit
V DD = 5.0 V
33880
V Pull-Up = 2.5 V
R L = 1.0 k Ω
CS
Under
DO
Test
C L = 200 pF
NOTE: C L represents the total capacitance of the test
fixture and probe.
Figure 7. Enable and Disable Time Test Circuit
33880
Analog Integrated Circuit Device Data
Freescale Semiconductor
9
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PDF描述
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参数描述
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MCZ33883EG 功能描述:功率驱动器IC FULL BRIDGE GATE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MCZ33883EG 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:SEMICONDUCTOR
MCZ33883EGR2 功能描述:功率驱动器IC FULL BRIDGE GATE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MCZ33884EG 功能描述:多路器开关 IC SW DETECT INTERFACE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 开关数量:4 开启电阻(最大值):7 Ohms 开启时间(最大值): 关闭时间(最大值): 传播延迟时间:0.25 ns 工作电源电压:2.3 V to 3.6 V 工作电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UQFN-16