- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录181978 > MD2001FH (STMICROELECTRONICS) 12 A, 1500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MD2001FH |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 12 A, 1500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FH, 3 PIN |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 210K |
| 代理商： | MD2001FH |
MD2001FH
Electrical characteristics
7/11
2.2
Test circuits
Figure 9.
Power losses and inductive load switching
Figure 10.
Reverse biased safe operating area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MD2009DFP | 10 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MD2310FX | 14 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MD2369 | 500 mA, 15 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MD37F3S600X | 37 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER |
| MD3810 | VOLTAGE-FREQUENCY CONVERTER, 10 MHz, CDIP24 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MD2001FX | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MD2001FX_0708 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display |
| MD2009DFP | 功能描述:两极晶体管 - BJT High volt NPN power transistor CRT TV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MD2009DFX | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 HI VLT NPN PWR TRANS STANDARD DEF RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MD2009DFX_0610 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High voltage NPN Power transistor for standard Definition CRT display |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。