参数资料
型号: MD7P19130HSR3
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 2/16页
文件大小: 751K
描述: MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780HS-4
标准包装: 250
晶体管类型: LDMOS(双)
频率: 1.93GHz ~ 1.99GHz
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 1.25A
功率 - 输出: 130W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: NI-780HS-4
供应商设备封装: NI-780HS-4
包装: 带卷 (TR)
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MD7P19130HR3 MD7P19130HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
26
27
28
29
30
31 3332 34 3835
36
37
P3dB = 53.48 dBm (223 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1250 mA, Pulsed CW
10
μsec(on), 10% Duty Cycle, f = 1960 MHz
52
50
48
Actual
Ideal
53
51
43
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
49
54
55
56
57
24
25
47
45
46
44
P1dB = 52.67 dBm (185 W)
Test Impedances per Compression Level
Zsource
?
Zload
?
P1dB
7.15 -- j1.86
0.84 -- j2.99
Figure 14. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
MD7P19130HSR5 功能描述:射频放大器 HV7 1.9GHZ 40W NI780-4S RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel
MD7S 功能描述:桥式整流器 MD-S,MiniDIp,0.5A 1000V,Bridge,SM,GP RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube
MD-7S 制造商:Pan Pacific 功能描述:
MD7SJ 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
MD7SJ-T-A01 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED