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参数资料
| 型号： | MDA200 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 2 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | MDA200 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ML48701C-166 | mm WAVE BAND, 15 V, GALLIUM ARSENIDE, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| ML48704C-120 | mm WAVE BAND, 15 V, GALLIUM ARSENIDE, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| ML48702C-168 | mm WAVE BAND, 15 V, GALLIUM ARSENIDE, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| ML48705A-32 | mm WAVE BAND, 15 V, GALLIUM ARSENIDE, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| ML48708B-95 | mm WAVE BAND, 25 V, GALLIUM ARSENIDE, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MDA2000 | 制造商:Cirago 功能描述:5' USB to 30 Pin Samsung Galaxy Charging Cable 制造商:CIRAGO 功能描述:5 SAMSUNG 30 PIN CABLE |
| MDA200A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:整流模块MDA200A1600V |
| MDA200G | 功能描述:桥式整流器 2A 50V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MDA200G_05 | 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| MDA201G | 功能描述:桥式整流器 2A 100V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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