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参数资料
| 型号： | MDA950-12N1W |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE MODULE STD 1200V DUAL |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 880mV @ 500A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50mA @ 1200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 950A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 反向恢复时间(trr)： | 18µs |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阳极 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
| 包装： | 托盘 |
IXYS
Notes on Ratings and Characteristics
1.0 Voltage Grade Table
Dual Diode Module Types MD#950-12N1W to MD#950-22N1W
Voltage Grade
12
14
16
18
20
22
V RRM
V
1200
1400
1600
1800
2000
2200
V RSM
V
1300
1500
1700
1900
2100
2300
V R
DC V
820
930
1040
1150
1260
1370
2.0 Extension of Voltage Grades
This report is applicable to other voltage grades when supply has been agreed by Sales/Production.
3.0 De-rating Factor
A blocking voltage de-rating factor of 0.13%/°C is applicable to this device for T j below 25°C.
4.0 Snubber Components
When selecting snubber components, care must be taken not to use excessively large values of snubber
capacitor or excessively small values of snubber resistor. Such excessive component values may lead to
device damage due to the large resultant values of snubber discharge current. If required, please consult
the factory for assistance.
5.0 Computer Modelling Parameters
5.1 Device Dissipation Calculations
? V T 0 + V T 0 + 4 ? ff ? r T ? W AV
W AV =
I AV =
2 2
2 ? ff 2 ? r T
and:
? T
R th
? T = T j max ? T K
Where V T0 =0.75V, r T =0.2m ?,
R th = Supplementary thermal impedance, see table below and
ff = Form factor, see table below.
Supplementary Thermal Impedance
Conduction Angle
Square wave
Sine wave
30°
0.0976
0.0950
60°
0.0955
0.0933
90°
0.0942
0.0924
120°
0.0933
0.0917
180°
0.0920
0.0902
270°
0.0907
d.c.
0.090
Form Factors
Conduction Angle
Square wave
Sine wave
30°
3.464
3.98
60°
2.449
2.778
90°
2
2.22
120°
1.732
1.879
180°
1.414
1.57
270°
1.149
d.c.
1
Data Sheet. MD#950-12N1W to 22N1W Issue 2
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May, 2005
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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