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参数资料
| 型号： | MDD142-08N1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD DIODE DUAL 800V Y4-M6 |
| 标准包装： | 6 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 300A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 20mA @ 800V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 165A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 800V |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y4-M6 |
| 供应商设备封装： | Y4-M6 |
| 包装： | 散装 |
MDD 142
Fig. 5 Three phase rectifier bridge:
Power dissipation versus direct
output current and ambient
temperature
Fig. 6 Transient thermal impedance
junction to case (per diode)
R thJC for various conduction angles d:
d
DC
180 °
120 °
60 °
30 °
R thJC (K/W)
0.210
0.223
0.233
0.260
0.295
Constants for Z thJC calculation:
i
1
2
3
R thi (K/W)
0.0087
0.0163
0.185
t i (s)
0.001
0.065
0.4
Fig. 7 Transient thermal impedance
junction to heatsink (per diode)
R thJK for various conduction angles d:
d
DC
180 °
120 °
60 °
30 °
R thJK (K/W)
0.31
0.323
0.333
0.360
0.395
Constants for Z thJK calculation:
? 2000 IXYS All rights reserved
i
1
2
3
4
R thi (K/W)
0.0087
0.0163
0.185
0.1
t i (s)
0.001
0.065
0.4
1.29
3-3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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