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参数资料
| 型号： | MDD172-08N1 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | High Power Diode Modules |
| 中文描述： | 190 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | MDD172-08N1 |
2000 IXYS All rights reserved
2 - 3
MDD 172
Fig. 1 Surge overload current
I
FSM
: Crest value, t: duration
Fig. 2 i
2
dt versus time (1-10 ms)
Fig. 2a Maximum forward current
at case temperature
Fig. 3
Power dissipation versus
forward current and ambient
temperature (per diode)
Fig. 4 Single phase rectifier bridge:
Power dissipation versus direct
output current and ambient
temperature
R = resistive load
L = inductive load
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MDD172-12N1 | High Power Diode Modules |
| MDD172-14N1 | High Power Diode Modules |
| MDD172-16N1 | High Power Diode Modules |
| MDD172-18N1 | High Power Diode Modules |
| MDD220-18N1 | High Power Diode Modules |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MDD172-12N1 | 功能描述:分立半导体模块 172 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MDD172-14N1 | 功能描述:分立半导体模块 172 Amps 1400V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MDD172-16N1 | 功能描述:分立半导体模块 172 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MDD172-18N1 | 功能描述:分立半导体模块 STANDARD RECTIFIER 1800V 172A Y4-M6 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MDD175-28N1 | 功能描述:SCR模块 High Power Diode Modules RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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