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参数资料
| 型号： | MDD172-16N1 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | High Power Diode Modules |
| 中文描述： | 190 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | MDD172-16N1 |
2000 IXYS All rights reserved
3 - 3
Fig. 5 Three phase rectifier bridge:
Power dissipation versus direct
output current and ambient
temperature
Fig. 6 Transient thermal impedance
junction to case (per diode)
Fig. 7 Transient thermal impedance
junction to
heatsink
(per diode)
R
thJK
for various conduction angles d:
d
R
thJK
(K/W)
DC
0.31
180
0.323
120
0.333
60
0.360
30
0.395
Constants for Z
thJK
calculation:
i
R
thi
(K/W)
1
0.0087
2
0.0163
3
0.185
4
0.1
t
i
(s)
0.001
0.065
0.4
1.29
MDD 172
R
thJC
for various conduction angles d:
d
R
thJC
(K/W)
DC
0.210
180
0.223
120
0.233
60
0.260
30
0.295
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
1
0.0087
2
0.0163
3
0.185
t
i
(s)
0.001
0.065
0.4
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PDF描述 |
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