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参数资料
| 型号： | MDD200-14N1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD DIODE DUAL 1400V Y4-M6 |
| 标准包装： | 6 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 300A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 20mA @ 1400V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 224A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1400V（1.4kV） |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y4-M6 |
| 供应商设备封装： | Y4-M6 |
| 包装： | 散装 |
MDD 200
10000
8000
50 Hz
80 % V RRM
T VJ = 45°C
T VJ = 125°C
10 6
V R = 0 V
400
300
DC
180° sin
120°
60°
30°
6000
T VJ = 45°C
200
4000
T VJ = 125°C
100
2000
t [ms]
0
0.001 0.01 0.1 s
t [s]
Fig. 1 Surge overload current
1
10 5
1 10
Fig. 2 I 2 t versus time (1-10 ms)
0
0 25 50 75 100 125 150
T C [°C]
Fig. 3 Maximum forward current
400
I FSM : Crest value, t: duration
2000
at case temperature
300
R thKA K/W
0.1
0.2
0.3
0.5
0.8
1800
1600
1400
T C = 85°C
T VJ = 150°C
200
DC
1.2
2.0
1200
1000
800
100
180° sin
120°
60°
30°
600
400
200
0
0 100 200 300 0 25 50
I FAVM [A]
Fig. 4 Power dissipation versus forward current
75
T A [°C]
100
125
150
0
0.001 0.01 0.1 1 10
t [s]
Fig. 5 Rated RMS current versus
1600
and ambient temperature (per diode)
500
time (360° conduction)
1400
1200
1000
800
600
400
Circuit
B6
R thKA K/W
0.02
0.04
0.07
0.10
0.15
0.20
0.30
400
300
200
200
100
T VJ = 125°C
0
0
100
200
300 400
I dAVM [A]
500
600
0
25
50
75
T A [°C]
100
125
150
0
0.0
0.5
T VJ = 25°C
1.0 1.5
V F [V]
2.0
Fig. 6 Three phase rectifier bridge: Power dissipation versus
direct output current and ambient temperature
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
Fig. 7 Forward current versus
voltage drop
20080128a
2-3
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PDF描述 |
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