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参数资料
| 型号： | MDD220-08N1 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | High Power Diode Modules |
| 中文描述： | 270 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | MDD220-08N1 |
2004 IXYS All rights reserved
3 - 3
MDD 220
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions
Fig. 5 Three phase rectifier bridge:
Power dissipation versus direct
output current and ambient
temperature
Fig. 6 Transient thermal impedance
junction to case (per diode)
Fig. 7 Transient thermal impedance
junction to
heatsink
(per diode)
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.00
0.05
0.10
0.15
t
s
Z
thJK
K/W
t
s
Z
thJC
K/W
30°
DC
0
0
30°
DC
Constants for Z
thJK
calculation:
i
R
thi
(K/W)
0.0035
0.0165
0.1091
0.04
t
i
(s)
0.0099
0.168
0.456
1.36
1
2
3
4
R
thJK
for various conduction angles d:
d
DC
R
thJK
(K/W)
0.169
0.171
0.172
0.172
0.173
180
°
120
°
60
°
30
°
R
thJC
for various conduction angles d:
d
DC
R
thJC
(K/W)
0.129
0.131
0.132
0.132
0.133
180
°
120
°
60
°
30
°
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
0.0035
0.0165
0.1091
t
i
(s)
0.0099
0.168
0.456
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PDF描述 |
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