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参数资料
| 型号： | MDD250 |
| 厂商： | IXYS Corporation |
| 英文描述： | High Power Diode Modules |
| 中文描述： | 大功率二极管模块 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | MDD250 |
2000 IXYS All rights reserved
3 - 3
Fig. 5 Three phase rectifier bridge:
Power dissipation versus direct
output current and ambient
temperature
MDD 250
Fig. 6 Transient thermal impedance
junction to case (per diode)
Fig. 7 Transient thermal impedance
junction to
heatsink
(per diode)
R
thJK
for various conduction angles d:
d
R
thJK
(K/W)
DC
0.169
180
0.171
120
0.172
60
0.172
30
0.173
Constants for Z
thJK
calculation:
i
R
thi
(K/W)
1
0.0035
2
0.0165
3
0.1091
4
0.04
t
i
(s)
0.0099
0.168
0.456
1.36
R
thJC
for various conduction angles d:
d
R
thJC
(K/W)
DC
0.129
180
0.131
120
0.132
60
0.132
30
0.133
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
1
0.0035
2
0.0165
3
0.1091
t
i
(s)
0.0099
0.168
0.456
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.00
0.05
0.10
0.15
t
s
Z
thJK
K/W
t
s
Z
thJC
K/W
30°
DC
0
0
30°
DC
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PDF描述 |
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