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参数资料
| 型号： | MDD312-20N1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD DIODE DUAL 2000V Y1-CU |
| 标准包装： | 3 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.32V @ 600A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 30mA @ 2000V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 310A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 2000V（2kV） |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y1-CU |
| 供应商设备封装： | Y1-CU |
| 包装： | 散装 |
MDD 312
3000
R thKA K/W
2500
2000
0.03
0.06
0.1
0.15
0.2
P tot
[W]
1500
1000
Circuit
B6U
0.3
0.4
3 x MDD312
500
0
0
200
400
600
800
0
25
50
75
100
125
150
I FAVM [A]
T A [°C]
Fig. 8 Three phase rectifier bridge: Power dissipation vs. direct output current & ambient temperature
0.20
R thJC for various conduction angles d :
0.15
Z thJC
0.10
[K/W]
0.05
30°
60°
120°
180°
DC
d R thJC (K/W)
DC 0.120
180°C 0.128
120°C 0.135
60°C 0.153
30°C 0.185
Constants for Z thJC calculation:
i R thi (K/W) t i (s)
0.00
10 -3
10 -2
10 -1
t [s]
10 0
10 1
10 2
1
2
3
4
0.0058
0.031
0.072
0.0112
0.00054
0.098
0.54
12
Fig. 9 Transient thermal impedance junction to case (per diode)
0.25
0.20
Z thJK
0.15
[K/W]
R thJK for various conduction angles d:
d R thJK (K/W)
DC 0.160
180°C 0.168
120°C 0.175
60°C 0.193
30°C 0.225
0.10
30°
60°
Constants for Z thJK calculation:
0.05
0.00
10 -3
10 -2
10 -1
t [s]
10 0
120°
180°
DC
10 1
10 2
i
1
2
3
4
5
R thi (K/W) t i (s)
0.0058 0.00054
0.031 0.098
0.072 0.54
0.0112 12
0.04 12
Fig. 10 Transient thermal impedance junction to heatsink (per diode)
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2013 IXYS All rights reserved
20130813g
4-4
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参数描述 |
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