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参数资料
| 型号： | MDI150-12A4 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT Modules Short Circuit SOA Capability Square RBSOA |
| 中文描述： | 180 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-7 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | MDI150-12A4 |
2000 IXYS All rights reserved
4 - 4
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
0
50
100
150
I
C
200
0
20
40
60
0
40
80
120
0
50
100
150
200
0
10
20
30
0
200
400
600
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
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8
16
24
32
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48
56
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5
10
15
20
0
400
800
1200
1600
0
8
16
24
32
40
48
56
0
10
20
30
40
50
mJ
0
50
100
150
200
250
ns
single pulse
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 10
W
T
J
= 125
°
C
150-12
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 100A
T
J
= 125
°
C
0
200
400
600
800
1000 1200
V
CE
0
40
80
120
160
200
240
A
R
G
= 10
W
T
J
= 125
°
C
V
CEK
< V
CES
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 10
W
T
J
= 125
°
C
E
on
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 100A
T
J
= 125
°
C
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
A
I
C
A
mJ
E
off
mJ
E
on
ns
t
ns
t
R
G
W
R
G
W
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s
E
on
mJ
E
off
t
ns
t
I
CM
K/W
Z
thJC
IGBT
diode
V
MII 150-12 A4
MID 150-12 A4
MDI 150-12 A4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MDI300-12A4 | IGBT Modules |
| MDL2416C | 15 RED, 4-DIGIT, 16 SEGMENT PLUS DECIMAL HI-REL/MILITARY ALPHANUMERIC INTELLIGENT DISPLAY WITH MEMORY/DECODER/DRIVER |
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| MDLM117-H | POSITIVE THREE TERMINAL ADJUSTABLE VOLTAGE REGULATOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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