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参数资料
| 型号： | MDI200-12A4 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT BUCK 1200V 270A Y3-DCB |
| 标准包装： | 2 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，150A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 270A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 10mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 11nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1130W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y3-DCB |
| 供应商设备封装： | Y3-DCB |
MII 200-12 A4
MID 200-12 A4
MDI 200-12 A4
90
120
80
800
E on
mJ
60
t d(on)
t r
ns
80
t
mJ
E off 60
t d(off)
ns
600
t
30
0
E on
V CE = 600V
V GE = ±15V
R G = 6.8
T J = 125 ° C
40
0
40
20
0
E off
V CE = 600V
V GE = ±15V
R G = 6.8
T J = 125 ° C
t f
400
200
0
0
100
200
300 A
0
100
200
300 A
I C
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
I C
Fig. 8 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
E on
50
mJ
40
V CE = 600V
V GE = ±15V
I C = 150A
T J = 125 ° C
t d(on)
E on
200
ns
160
t
E off
50
mJ
40
V CE = 600V
V GE = ±15V
I C = 150A
T J = 125 ° C
t d(off)
2000
ns
1600
t
30
120
30
E off
1200
20
10
t r
80
40
20
10
800
400
0
0
0
t f
0
0
4
8
12
16
20
24
28
0
4
8
12
16
20
24
28
400
A
R G
Fig. 9 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
1
K/W
R G
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
I CM 300
R G = 6.8
0.1
Z thJC
0.01
diode
IGBT
200
T J = 125 ° C
V CEK < V CES
0.001
100
0
0.0001
0.00001
single pulse
200-12
0
200
400
600
800 1000 1200 V
0.00001 0.0001
0.001
0.01
0.1
s
1
V CE
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
? 2000 IXYS All rights reserved
t
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
4-4
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