参数资料
型号: MEK95-06DA
厂商: IXYS
文件页数: 2/2页
文件大小: 0K
描述: DIODE MODULE EPITAXIAL 600V 95A
标准包装: 6
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.55V @ 100A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2mA @ 600V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 95A
电压 - (Vr)(最大): 600V
反向恢复时间(trr): 300ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 底座安装
封装/外壳: TO-240AA
供应商设备封装: TO-240AA
包装: 散装
其它名称: Q3192269
MEA 95-06 DA MEE 95-06 DA
MEK 95-06 DA
200
A
175
4
μ C
T VJ = 100 ° C
V R = 300V
60
A
50
T VJ = 100 ° C
V R = 300V
I F
150
125
Q r 3
I RM
40
I F =190A
I F = 95A
100
T VJ =150 ° C
T VJ =100 ° C
T VJ =25 ° C
2
I F =190A
I F = 95A
I F =47.5A
30
I F =47.5A
75
50
25
1
20
10
0
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5 V
2.0
10
100
A/ s 1000
0
200
400
600
A/ s
800 1000
V F
Fig. 1 Forward current I F versus
voltage drop V F per leg
-di F /dt
Fig. 2 Reverse recovery charge Q r
versus -di F /dt
-di F /dt
Fig. 3 Peak reverse current I RM
versus -di F /dt
K f
2.0
1.5
Q r
I RM
250
ns
t rr 200
T VJ = 100 ° C
V R = 300V
I F =190A
I F = 95A
I F =47.5A
50
A
40
V FR
30
T VJ = 100 ° C
I F = 150A
t fr
V FR
1.0
μ s
0.8
0.6
t fr
1.0
150
20
0.4
0.5
100
10
0.2
0.0
50
0
0.0
0
50
100
° C 150
0
200
400
600
A/ s
800 1000
0
200
400
600 800
A/ s
1000
T VJ
Fig. 4 Dynamic parameters Q r , I RM
versus junction temperature T VJ
0.6
K/W
0.5
0.4
Z thJH
0.3
-di F /dt
Fig. 5 Recovery time t rr versus -di F /dt
di F /dt
Fig. 6 Peak forward voltage V FR and t fr
versus di F /dt
Constants for Z thJH calculation:
0.2
0.1
i
1
2
3
4
R thi (K/W)
0.037
0.138
0.093
0.282
t i (s)
0.002
0.134
0.25
0.274
0.0
0.001 0.01 0.1
Fig. 7 Transient thermal impedance junction to heatsink
? 2000 IXYS All rights reserved
1 s
t
10
2-2
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